[发明专利]高透光性低辐射镀膜玻璃无效
申请号: | 201210021271.6 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN102584030A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 林嘉宏 | 申请(专利权)人: | 林嘉宏 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透光 辐射 镀膜 玻璃 | ||
技术领域
本发明属于镀膜玻璃生产领域,具体是一种高透光性低辐射镀膜玻璃。
背景技术
随着现代建筑对装饰材料要求的提高,人们对作为建筑材料之一的玻璃的要求也越来越高。玻璃是建筑物和汽车不可缺少的组成部分,承担着许多重要的功能,包括美化建筑物和汽车的外观、采光及给室内带来开阔的视野。但是普通玻璃阳光透过率很高、红外反射率很低,大部分太阳光透过玻璃进入室内,会加热物体,而这些室内的能量又会以辐射形式通过玻璃散失掉。据统计,建筑物中通过门窗散失的热量约占整个建筑采暖或制冷能耗的50%,而通过玻璃流失的热量就占整个窗户的80%左右。针对这种现象,目前市场上出现了镀上低辐射膜的玻璃,其隔热性大大改善,尤其是目前市场上普遍采用的单银低辐射玻璃,是将太阳光中的红外线排除在外同时将物体二次辐射热反射回去的特种玻璃,越来越受到人们的欢迎。但现有单银低辐射玻璃通常采用含氧化合物层或含氧化物组合层作为阻挡层和电介质层,在所述阻挡层和所述电介质层的沉积过程中,因为氧的加入会使先期沉积的Ag发生氧化。同时,在使用过程中,单银低辐射玻璃中内层的银单质也易被氧化,当其因氧化而失去了单银低辐射功能,使其与普通玻璃一样不具备隔热性能,而且可见光的透光率也会变低,使其室内阴暗。且现有的单银低辐射镀膜玻璃膜系粘附力低,在高温情况下,容易产生脱膜的现象,而丧失膜系的玻璃也会丧失低辐射功能和隔热性能。因而,现有低辐射镀膜玻璃有待进一步的改进。
发明内容
本发明的技术目的是解决现有技术中的问题,提供一种膜系结构简单,且功能层不易发生氧化的高透光性低辐射镀膜玻璃。
本发明的技术方案是:
一种高透光性低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基底和形成在玻璃基底上的膜系,其特征在于:
所述膜系自玻璃基底向外依次包括第一膜层组合层、功能层和第二膜层组合层,所述第一膜层组合层、第二膜层组合层中均至少包括一层为Si层的膜层,所述第一膜层组合层具有第一Si膜层,所述第二膜层组合层具有第二Si膜层,第一膜层组合层的第一Si膜层和第二膜层组合层的第二Si膜层分别位于所述功能层的上下两侧并紧邻功能层,所述功能层为Ag层。
进一步的技术方案还包括:
所述第一膜层组合层、功能层和第二膜层组合层为在无氧条件氛围中沉积的膜层结构。
所述第一膜层组合层包括第一电介质层和形成在所述第一电介质层上的第一Si膜层,所述第二膜层组合层包括沉积在所述功能层上的第二Si膜层和形成在所述第二Si膜层上的第二电介质层,所述第一电介质层、第二电介质层为Si3N4层。
作为优选,所述膜系中第一膜层组合层的第一Si膜层的膜层厚度范围可设为1-10nm,作为更优选的第一膜层组合层的第一Si膜层的膜层厚度范围为2-8nm。
本发明将位于功能层Ag层上下两侧并紧邻功能层的膜层设为Si材料膜层的设计方案,有效避免了现有氧化物电介质层在沉积过程及产品使用过程中对功能层Ag层的氧化,大大提高了产品的质量。并且本发明结构简单,易于生产制造,镀膜后的玻璃产品颜色中性,具有可钢化、膜层之间粘附力强、高可见光透过率、辐射率低的优点。
附图说明
图1是本发明高透光性低辐射镀膜玻璃的结构示意图;
图2为本发明高透光性低辐射镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线;
图3为本发明高透光性低辐射镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线;
图4为本发明高透光性低辐射镀膜玻璃的透射特性谱图;
图5为Ag直接沉积在玻璃基底上的SEM图;
图6为Ag沉积在具有1nm厚度第一Si膜层的玻璃基底上的SEM图;
图7为Ag沉积在具有3nm厚度第一Si膜层的玻璃基底上的SEM图;
图8为Ag直接沉积在玻璃基底上的AFM图;
图9为Ag沉积在具有1nm厚度第一Si膜层的玻璃基底上的AFM图;
图10为Ag沉积在具有3nm厚度第一Si膜层的玻璃基底上的AFM图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术方案、技术特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
如图1所示,一种高透光性低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基底1和形成在玻璃基底1上的膜系,所述膜系自玻璃基底1向外依次包括:
1) 第一膜层组合层,所述第一膜层组合层包括至少一Si膜层。具体的,所述第一膜层组合层包括沉积在玻璃基底1上的第一电介质层2和沉积在所述第一电介质层2上的第一Si膜层3;
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