[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括晶体管，该晶体管包括：

半导体膜；以及

所述半导体膜上的源电极及漏电极，

其中，所述源电极及漏电极的整个部分覆盖所述半导体膜的一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体膜包括氧化物半导体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源电极的底面及所述漏电极的底面不与所述半导体膜的侧面直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源电极及所述漏电极的轮廓与所述半导体膜的轮廓彼此重叠以形成直线或曲线。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体膜包括结晶氧化物半导体。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述结晶氧化物半导体包括c轴取向的结晶。

7.一种半导体装置，包括晶体管，该晶体管包括：

衬底上的基底绝缘膜；

所述基底绝缘膜上的半导体膜；

所述半导体膜上的源电极及漏电极；

所述源电极及所述漏电极上的栅极绝缘膜；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极，

其中，所述源电极及漏电极的整个部分覆盖所述半导体膜的一部分。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半导体膜包括氧化物半导体。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述源电极的底面及所述漏电极的底面不与所述半导体膜的侧面直接接触。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述源电极及所述漏电极的轮廓与所述半导体膜的轮廓彼此重叠以形成直线或曲线。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半导体膜包括结晶氧化物半导体。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述结晶氧化物半导体包括c轴取向的结晶。

13.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在衬底上形成半导体膜；

在所述半导体膜上形成导电膜；

加工所述导电膜来形成源电极及漏电极；以及

在加工所述导电膜之后，加工所述半导体膜。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述半导体膜包括氧化物半导体。

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述半导体膜之后及形成所述导电膜之前，加热所述衬底。

16.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述导电膜之后及加工所述导电膜之前，加热所述衬底。

17.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在所述半导体膜上与该半导体膜接触地形成第二半导体膜，其中所述第二半导体膜包括氧化物半导体。

18.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述第二半导体膜之后及形成所述导电膜之前，加热所述衬底。

19.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在衬底上形成基底绝缘膜；

在所述基底绝缘膜上形成半导体膜；

在所述半导体膜上形成导电膜；

加工所述导电膜来形成源电极及漏电极；

在加工所述导电膜之后，加工所述半导体膜；

在所述源电极及所述漏电极上形成栅极绝缘膜；以及

在所述栅极绝缘膜上形成栅电极。

20.根据权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其中所述半导体膜包括氧化物半导体。

21.根据权利要求19所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述半导体膜之后及形成所述导电膜之前，加热所述衬底。

22.根据权利要求19所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述导电膜之后及加工所述导电膜之前，加热所述衬底。