[发明专利]发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件

说明书

技术领域

本发明涉及有一种发光二极管组件，特别是指一种具有良好的奥姆接触特性及良好的发光效率的发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件。 

背景技术

电能为现今不可或缺的能源之一，举凡照明装置、家庭电器、通讯装置、交通传输、或是工业设备等，若缺乏电能将无法运作。而目前全球的能源多半是利用燃烧石油或是煤等，而石油或煤并不是取的不尽的，若不积极的寻找替代能源，等到石油或煤耗尽时，全球将陷入能源危机。为了因应目前的能源危机，除了积极开发各式的再生能源之外，必须节约使用能源，并且有效的使能源，以让能源的使用效率提升。 

以照明设备为例，照明设备为人类生活中不可或缺，随着技术的发展，具有更好照度及更省电的照明工具也逐渐应运而生。目前一种新兴的照明光源为发光二极管。发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)与传统光源比较，发光二极管是具有体积小、省电、发光效率佳、寿命长、操作反应速度快、且无热辐射与水银等有毒物质的污染等优点，因此近几年来，发光二极管的应用面已极为广泛。过去由于发光二极管的亮度还无法取代传统的照明光源，但随着技术领域的不断提升，目前已研发出高照明辉度的发光二极管(高功率LED)，其足以取代传统的照明光源。 

发光二极管的磊晶结构为由P型及N型氮化镓是半导体层及发光层所组成。发光二极管的发光效率高低是取决于发光层的量子效率，以及该发光二极管的光取出效率。增加量子效率的方法主要是改善发光层的长晶质量及其结构设计，而增加光取出效率的关键则在于减少发光层所发出的光源在发光二极管内部反射所造成的能量损失。 

一般发光二极管的P型半导体层与反射层间，依照P型半导体层的半导体材料的性质与反射层所使用的金属的功函数，而形成奥姆接触或萧特基接触。当奥姆接触的电阻值太高时，会影响发光二极管的操作特性，所以必须降低奥 姆接触的电阻值，因此可于P型半导体层与反射层设置奥姆接触层，以改善P型半导体层与反射层间的奥姆接触特性。现有奥姆接触层是使用Ni/Au奥姆接触层，并对奥姆接触层进行热处理以形成良好的奥姆接触。但是Ni/Au奥姆接触层对光的吸收率较高，且P型半导体层与Ni/Au奥姆接触层的间接口会因热处理而粗糙化，并无法反射光线，所以发光二极管的反射效率会降低。 

为了解决上述问题，请参阅图1，是现有发光二极管组件的结构图。如图所示，于P型半导体层10’与反射层12’设置一奥姆接触层11’，奥姆接触层11’是使用单层金属氧化物层，并达到高导电度，虽然奥姆接触层11’具有高导电度，但是其穿透率降低，导致发光二极管的发光效率降低；如果奥姆接触层11’具有高穿透率，但是其导电度降低，导致奥姆接触层11’的奥姆接触效果不佳。所以现有设置单层金属氧化物层为奥姆接触层11’，无法同时维持具有良好的奥姆接触特性及良好的发光效率。 

有鉴于上述问题，本发明提供一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件具有良好的奥姆接触特性，并且使发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件维持良好的发光效率。 

发明内容

本发明的目的，在于提供一种发光二极管组件，该发光二极管组件能有效提升发光二极管组件的奥姆接触特性，而且同时维持良好发光效率。 

本发明的技术方案：一种发光二极管组件，是包含： 

一组件基板； 

一第一型掺杂层，配置于该组件基板上； 

一发光层，配置于该第一型掺杂层上； 

一第二型掺杂层，配置于该发光层上； 

一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上； 

一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上； 

一反射层，配置于该平坦缓冲层上；以及 

二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层。 

本发明中，其中该反射层通过该平坦缓冲层达镜面反射的效果。 

本发明中，其中该第一型掺杂层为N型半导体层，该第二型掺杂层为P型半导体层。 

本发明中，其中该奥姆接触层为一金属薄膜或是一金属氧化物层。 

本发明中，其中该奥姆接触层的光穿透率高于90％。 

本发明中，其中该奥姆接触层的厚度是小于5000埃米 

本发明中，其中该平坦缓冲层为一光穿透率高于95％的金属氧化物层。 

本发明中，其中该金属氧化物是选自氧化铟锡、氧化铈锡、氧化锑锡、氧化铟锌及氧化锌所组成的群组。