[发明专利]化合物半导体器件、制造器件的方法和电气器件

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

化合物半导体多层结构；

在所述化合物半导体多层结构上的栅极绝缘膜；和

栅电极，

其中所述栅电极包括所述栅极绝缘膜上的栅极基部和栅极伞部，并且所述栅极伞部的表面包括与所述化合物半导体多层结构的肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括在所述化合物半导体多层结构上与所述栅电极一起提供的介电体。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述栅极基部通过填充形成在所述化合物半导体多层结构中的第一沟槽来形成。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中所述介电体通过填充形成在所述化合物半导体多层结构中的第二沟槽来形成。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述栅极伞部的表面在形成在所述栅极绝缘膜中的开口中具有所述肖特基接触。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，其中所述开口沿所述栅电极的纵向方向形成在所述栅极绝缘膜中。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：

在所述化合物半导体多层结构上的所述栅电极一侧上的源电极；和

在所述化合物半导体多层结构上的所述栅电极的另一侧上的漏电极，

其中在所述栅电极的所述另一侧上的所述栅极伞部的表面和所述化合物半导体多层结构之间形成所述肖特基接触。

8.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，还包括：

在所述化合物半导体多层结构上的所述栅电极一侧上的源电极；和

在所述化合物半导体多层结构上的所述栅电极的另一侧上的漏电极，

其中所述介电体设置在所述栅电极和所述漏电极之间。

9.一种用于制造化合物半导体器件的方法，包括：

在化合物半导体多层结构上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成开口，以暴露所述化合物半导体多层结构的表面的一部分；和

在所述栅极绝缘膜上形成包括栅极基部和栅极伞部的栅电极，以使所述栅极伞部的表面包括在所述开口中的与所述化合物半导体多层结构的肖特基接触。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括，

与所述栅电极一起在所述化合物半导体多层结构上形成介电体。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述开口沿所述栅电极的纵向方向形成在所述栅极绝缘膜中。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述化合物半导体多层结构中形成第一沟槽；和

填充所述第一沟槽以形成所述栅极基部。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述化合物半导体多层结构中形成第二沟槽，和

填充所述第二沟槽以形成所述介电体。

14.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述化合物半导体多层结构上的所述栅电极的一侧上形成源电极；

在所述化合物半导体多层结构上的所述栅电极的另一侧上形成漏电极，

其中在所述栅电极的所述另一侧上的所述栅极伞部的表面和所述化合物半导体多层结构之间形成所述肖特基接触。

15.根据权利要求9所述的方法，还包括，

在所述化合物半导体多层结构上的所述栅电极的一侧上形成源电极；

在所述化合物半导体多层结构上的所述栅电极的另一侧上形成漏电极；和

在所述栅电极和所述漏电极之间形成介电体。

16.一种用于处理和输出信号的电气器件，包括，

包括化合物半导体多层结构、在所述化合物半导体多层结构上的栅极绝缘膜和栅电极的晶体管，

其中所述栅电极包括在所述栅极绝缘膜上的栅极基部和栅极伞部，并且

所述栅极伞部的表面包括与所述化合物半导体多层结构的肖特基接触。

17.根据权利要求16所述的电气器件，其中所述器件包括耦接到变压器的高压电路。

18.根据权利要求16所述的电气器件，其中所述器件包括放大和输出高频电压的高频放大器。