[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一绝缘膜，其设置在单元晶体管区域中的半导体衬底上；

电荷存储膜，其设置在所述第一绝缘膜上；

第二绝缘膜，其设置在所述电荷存储膜上；

控制栅极电极，其包括第一导电膜和在所述第一导电膜上的第二导电膜，所述第一导电膜被设置在所述第二绝缘膜上，所述第二导电膜包括第一金属硅化物膜；

第一源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的表面上，并夹住在所述第一绝缘膜之下的区域；

第三绝缘膜，其设置在外围晶体管区域中的所述半导体衬底上；

栅极电极，其包括第三导电膜和在所述第三导电膜上的第四导电膜，所述第三导电膜被设置在所述第三绝缘膜上，所述第四导电膜包括多晶硅膜和在所述多晶硅膜的顶表面和侧表面上的第二金属硅化物膜；

第二源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的所述表面上，并夹住在所述第三绝缘膜之下的区域。

2.根据权利要求1的器件，其中：

在所述多晶硅膜的所述侧表面上的所述第二金属硅化物膜的沿垂直方向的厚度等于所述第一金属硅化物膜的沿垂直方向的厚度。

3.根据权利要求1的器件，其中：

所述栅极电极还包括在所述第三导电膜与所述第四导电膜之间形成的第四绝缘膜，

所述第四绝缘膜具有开口，以及所述第四导电膜形成在所述开口中，以及

所述第二金属硅化物膜在所述第四导电膜中的所述多晶硅膜的顶表面和侧表面之上整体延伸。

4.根据权利要求1的器件，其中：

所述第四导电膜的宽度大于所述第二导电膜的宽度。

5.根据权利要求1的器件，还包括：

空隙，其具有位于所述侧壁绝缘膜的上表面处的开口，并延伸到所述侧壁绝缘膜的中间；以及

二氧化硅膜，其覆盖所述第二导电膜的所述上表面和侧表面，并覆盖所述侧壁绝缘膜。

6.根据权利要求5的器件，其中：

所述二氧化硅膜被形成在所述空隙中。

7.一种半导体器件，包括：

第一绝缘膜，其设置在外围晶体管区域中的半导体衬底上；

第一导电膜，其设置在所述第一绝缘膜上；

第一电极间绝缘膜，其设置在所述第一导电膜上；

第二导电膜，其设置在所述第一电极间绝缘膜上，并在其顶表面和侧表面上具有第一金属硅化物膜，在所述第二导电膜的每一个侧表面上的所述第一金属硅化物膜的沿垂直方向的厚度大于在所述第二导电膜的中心处的所述第一金属硅化物膜的沿垂直方向的厚度；

第一源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的表面上，并夹住在所述第一绝缘膜之下的区域；以及

侧壁绝缘膜，其形成在所述第一和第二导电膜的侧表面上。

8.根据权利要求7的器件，还包括：

第二绝缘膜，其设置在单元晶体管区域中的所述半导体衬底上；

第三导电膜，其设置在所述第二绝缘膜上；

第二电极间绝缘膜，其设置在所述第三导电膜上；以及

第四导电膜，其设置在所述第二电极间绝缘膜上，以及其中由第二金属硅化物膜构成从顶表面沿垂直方向延伸了第一厚度的整个部分。

9.根据权利要求8的器件，其中：

在所述第二导电膜的每一个侧表面上的所述第一金属硅化物膜的沿垂直方向的厚度等于所述第一厚度。

10.根据权利要求8的器件，其中：

所述第四导电膜的宽度小于所述第二导电膜的宽度。

11.根据权利要求1的器件，其中：

所述第二金属硅化物膜具有倒置的凹形形状。

12.根据权利要求7的器件，其中：

所述第一金属硅化物膜具有倒置的凹形形状。