[发明专利]CMOS半导体器件的金属栅极结构有效
| 申请号： | 201210020308.3 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102637685A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;杨宝如;朱鸣;林慧雯;张立伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 半导体器件 金属 栅极 结构 | ||
1.一种CMOS半导体器件，包括：
衬底，所述衬底包括P-有源区域，N-有源区域，和介于所述P-有源区域和所述N-有源区域之间的隔离区域；
在所述P-有源区域上方的P-金属栅电极，所述P-金属栅电极延伸到所述隔离区域的上方；以及
在所述N-有源区域上方具有第一宽度的N-金属栅电极，所述N-金属栅电极延伸到所述隔离区域的上方并且具有在所述隔离区域中的接触段，所述接触段电接触所述P-金属栅电极，其中所述接触段具有大于所述第一宽度的第二宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二宽度与所述第一宽度的比是约1.2到1.5。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述P-有源区域上方的所述P-金属栅电极具有与所述第一宽度相等的第三宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一宽度在约10nm到30nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中接触所述N-金属栅电极的所述P-金属栅电极的接触段具有小于所述第二宽度的第四宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中接触所述N-金属栅电极的所述P-金属栅电极的接触段具有与所述第二宽度相等的第四宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述N-金属栅电极的所述接触段相对于所述N-有源区域上方的所述N-金属栅电极部分的中心线不对称。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述N-金属栅电极的所述接触段的一边与所述N-有源区域上方的所述N-金属栅电极的一边对齐。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述P-金属栅电极包括P-功-函数金属层。
10.一种制造CMOS半导体器件的方法，包括：
提供衬底，所述衬底包括P-有源区域，N-有源区域，和介于所述P-有源区域和所述N-有源区域之间的隔离区域；
在所述P-有源区域，N-有源区域，和隔离区域上方形成介电层；
在所述介电层中形成第一开口，所述第一开口在P-有源区域的整个长度上方延伸并且延伸到所述隔离区域中；
用P-功-函数金属层部分地填充所述第一开口；
在所述介电层中的所述N-有源区域的上方形成具有第一宽度的第二开口，所述第二开口在所述N-有源区域的整个长度上方延伸并且延伸到所述隔离区域中，而且所述第二开口具有与所述第一开口连接的接触段，其中所述接触段具有大于所述第一宽度的第二宽度，
用N-功-函数金属层部分地填充所述第二开口；
在所述第二开口中沉积信号金属层；以及
将所述信号金属层平坦化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210020308.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
