[发明专利]半导体器件和用于形成该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

线图案，其形成在半导体基板上；

器件隔离膜，其形成在所述线图案的中心部分处；

接触部分，其形成在所述线图案的两侧，并且被构造为包括形成在所述线图案上的氧化物膜；以及

位线，其形成在所述线图案之间的底部处并且与所述接触部分相连。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述器件隔离膜是由器件隔离膜和覆盖膜形成的层状结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述器件隔离膜包括氧化物膜，所述覆盖膜包括氮化物膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

接面区域，其形成在所述线图案的两侧处并且与侧壁触点相连。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述接面区域包括n型杂质离子。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述位线包括掺杂的多晶硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述氧化物膜形成为具有在大约至之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述氧化物膜被构造为被经由所述位线施加的偏压击穿。

9.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述氧化物膜被构造为在所述位线与所述接面区域之间的重叠区域中被击穿。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在半导体基板上形成线图案；

通过蚀刻所述线图案的中心部分来形成沟槽；

通过在所述沟槽中填充绝缘膜来形成器件隔离膜；

在所述线图案的两侧处形成侧壁触点；

在所述侧壁触点处的所述线图案上形成氧化物膜；以及

在所述线图案之间的部分形成与所述侧壁触点相连的位线。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

形成所述器件隔离膜的步骤包括：

在包括所述沟槽的所述线图案上形成器件隔离绝缘膜；

蚀刻所述器件隔离绝缘膜直到所述线图案的顶部为止；以及

在所述器件隔离绝缘膜上形成覆盖膜。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，

形成所述侧壁触点的步骤包括：

在所述线图案之间的底部形成埋入式多晶硅层；

在从所述埋入式多晶硅层露出的所述线图案上形成衬垫氮化物膜；

通过进一步蚀刻所述埋入式多晶硅层而露出所述衬垫氮化物膜的下部的线图案；以及

将所述埋入式多晶硅层移除。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在形成所述侧壁触点之后，经由所述侧壁触点在所述线图案的两侧处形成接面区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

形成所述接面区域的步骤包括：经由所述侧壁触点植入n型杂质离子，从而形成所述接面区域。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，

在所述氧化物膜的形成中，所述氧化物膜形成为具有在大约至之间的厚度。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，

形成所述位线的步骤还包括：

在包括所述线图案的所述半导体基板上形成掺杂的多晶硅层；以及

以如下方式蚀刻所述掺杂的多晶硅层：仅在所述线图案之间的底部保留所述掺杂的多晶硅层。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述氧化物膜被构造为被施加到所述线图案和/或所述接面区域上的偏压击穿。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述氧化物膜被构造为在所述位线与所述接面区域之间的重叠区域中被击穿。