[发明专利]三维石墨烯/相变储能复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种电子器件散热用的导热三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于石墨烯与相变储能材料原位复合，其中以具有三维结构的多孔石墨烯作为导热体和复合模板，以固-液相变的有机材料作为储能材料和填充剂。

2.根据权利要求1所述的三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于，所述储能材料为硬脂酸、月桂酸或石蜡。

3.根据权利要求1所述的三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于，所述石墨烯是采用泡沫金属为模板，以CVD法生长的三维石墨烯。

4.根据权利要求3所述的三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于，所述CVD法生长的三维石墨烯为2至8层的多层结构。

5.根据权利要求3所述的三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于，所述生长的三维石墨烯的孔径在亚微米至数百微米范围可调。

6.根据权利要求1至5任一项所述的三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于，所述储能材料的体积填充量范围为10％-98％。

7.根据权利要求1至5任一项所述的三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于，石墨烯与相变储能材料利用真空浸渍法复合而成。

8.根据权利要求3所述的三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于，将生长有三维石墨烯的泡沫金属模板直接与相变储能材料利用真空浸渍法复合先形成石墨烯/泡沫金属/相变储能材料的复合体，再通过去除泡沫金属形成石墨烯/相变储能复合材料。

9.根据权利要求8所述的三维石墨烯/相变储能复合材料，其特征在于，将去除泡沫金属形成的石墨烯/相变储能复合材料再次利用真空浸渍法进一步与相变储能材料复合形成石墨烯/相变储能复合材料。

10.一种三维石墨烯/相变储能复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

采用泡沫金属为模板，以CVD法生长三维石墨烯，得到石墨烯/泡沫金属复合体的工序A；

将工序A制得的石墨烯/泡沫金属复合体浸渍于经熔化的相变储能材料中、与相变储能材料复合形成石墨烯/泡沫金属/相变储能材料的复合体的工序B；

对工序B制得的石墨烯/泡沫金属/相变储能材料的复合体去除泡沫金属制得石墨烯/相变储能材料复合体的工序C；

对工序C的石墨烯/相变储能材料复合体进一步浸渍于相变储能材料中、使之进一步与相变储能材料复合形成石墨烯/相变储能复合材料的工序D。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于所述工序B中还包括利用真空干燥箱在一定温度下使储能材料熔化的工序B1。

12.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于所述工序B和/或所述工序D在浸渍过程对系统抽真空。

13.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于还包括在所述工序A之后将多片石墨烯/泡沫金属复合体压制成整片后作为后续的工序B使用的工序A1。

14.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于所述泡沫金属为泡沫镍。

15.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于所述储能材料为硬脂酸、月桂酸或石蜡。