[发明专利]一种单腔多靶极溅镀程式控制方式

说明书

所属技术领域

本发明属于一种单腔多靶极溅镀程式控制方式，具体涉及实验型镀膜设备薄膜沈积机制。

背景技术

现有PVD等离子体物理气象沈积设备是借助在靶极上通入高电压直流、交流或射频电源来离子化工作气体（通常为氩气等惰性气体），以产生等离子体来轰击靶面，使靶原子或分子获得动能向一定方向飞溅，并沈积薄膜于对向的基片上。一般设备的溅镀腔组态均为同一性质的靶源，但对于实验设备以成本为优先考量的情况下需在单一腔室内设置不同性质的靶源，如此情况下程式控制多为手动控制，既使用者自行开启或关闭所需要的靶极，但使用者对于何时需开启或关闭靶极无法精确控制，常会进而导致薄膜沈积的厚度及均匀度无法被控制，而使实验需重复进行，浪费人力及无法节约实验成本。

发明内容

综上所述，为了克服现有技术不足，本发明的主要目的在于提供一种单腔多靶极程式控制方式。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：

一种单腔多靶极程式控制方式，通过定位光栅传感器侦测承载盘位置的回馈信号，并将此信号转换为数位信号供程式判断，当第一光栅动作时，程式开启地靶极1，其后计时25秒分别开启靶极2、靶极3及靶极4，当第二光栅动作时，依顺序分别关闭靶极1、靶极2、靶极3及靶极4；当第三光栅动作时，程式判断趟数设定值后，重复上述步骤，直到设定的反覆趟数到达，若无设定则直接将承载盘退回至原位，结束程式。综上所述本发明利用现有机制搭配自行撰写的程式控制达到节约成本的效果、制作方便。

具體實施方式

    下面結合附图对本发明做进一步说明。

請參閱圖1所示，一种单腔多靶极程式控制方式，系统组态如图1所示：承载盘11、第一缓冲区12、第一光栅传感器13、多靶极14、第二光栅传感器15及第三光栅传感器16所组成。請參閱圖2流程图所示，当第一光栅13动作时，程式开启地靶极1 ，其后计时25秒分别开启靶极2、靶极3及靶极4，当第二光栅15动作时，依顺序分别关闭靶极1、靶极2、靶极3及靶极4；当第三光栅16动作时，程式判断趟数设定值后，重复上述步骤，直到设定的反覆趟数到达，若无设定则直接将承载盘11退回至第一缓冲区12，结束程式。

        以上所述实例是对本发明技术方案的说明而非限制，所属技术领域普通技术人员的等同替换或者根据现有技术而做的修改，只要未超出本发明技术方案的思路和范围，均应包含在本发明的权力要求范围之内。

附图说明

图1系为本发明系统组态图。

图2系为本发明程式流程图

主要元件符号说明

11．．．承载盘

12．．．第一缓冲区

13．．．第一光栅传感器

14．．．多靶极

15．．．第二光栅传感器

16．．．第三光栅传感器