[发明专利]2．5D/3D集成电路系统的ESD保护

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一集成电路器件和第二集成电路器件，设置在中介层上，每个集成电路器件中都具有与内部ESD总线相连接的静电放电(ESD)保护电路，所述中介层包括与所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的所述ESD总线电连接的ESD总线，用于向所述集成电路器件提供交叉器件ESD保护。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件通过所述中介层与位于所述中介层的底面的相应接地连接器相连接，并且所述中介层的ESD总线与位于所述中介层的底面的相应接地连接器电连接。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述中介层包括金属互连层，并且所述中介层的所述ESD总线形成在所述金属互连层内的金属线级层内。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述中介层的所述ESD总线以网状结构被布置在所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件下面。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，并且其中，所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的ESD总线直接与所述中介层的ESD总线电连接，而在其间没有连接任何有源器件。

6.根据权利要求4所述的结成电路结构，其中，所述第一集成电路和所述第二集成电路至少包括：第一ESD保护电路和第二ESD保护电路，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路分别电连接在所述第一集成电路器件的ESD总线和所述第二集成电路器件的ESD总线与所述中介层的ESD总线之间。

7.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述中介层的所述ESD总线包括：

第一环形结构，设置在所述第一集成电路器件下面；以及

第二环形结构，设置在所述第二集成电路器件下面，并且与所述中介层中的所述第一环形结构相连接。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，所述第一集成电路器件的ESD总线和所述第二集成电路器件的ESD总线分别直接与所述第一环形结构和所述第二环形结构电连接，而在其间没有连接任何有源器件。

9.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第一集成电路和所述第二集成电路至少包括第一ESD保护电路和第二ESD保护电路，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路分别电连接在所述第一集成电路器件和所述第一环形结构之间以及所述第二集成电路器件和所述第二环形结构之间。

10.根据权利要求1所述的集成电路结构，至少包括：第一ESD保护电路和第二ESD保护电路，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路分别电连接在所述第一集成电路器件的低电源节点和所述第二集成电路器件的低电源节点与所述中介层的所述ESD总线之间。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路分别包括在所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件内，并且电连接在每个集成电路器件的所述低电源节点和ESD总线之间。

12.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路形成在所述中介层中。

13.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路均包括交叉相连的二极管对。

14.一种集成电路结构，包括：

中介层，包括金属互连层和所述金属互连层之间的衬底层；以及

第一集成电路芯片和第二集成电路芯片，设置在所述中介层上，每个集成电路器件具有芯片上静电放电(ESD)保护电路，每个集成电路芯片的所述芯片上ESD保护电路都包括用于电源到接地保护的ESD电源箝位电路以及输入/输出(I/O)信号ESD保护电路；以及

第一噪声隔离ESD保护电路和第二噪声隔离ESD保护电路，分别用于隔离与所述第一集成电路芯片和所述第二集成电路芯片相关的不同的接地之间的噪声；以及

其中，为了向所述集成电路芯片提供交叉器件ESD保护，所述中介层包括与所述第一噪声隔离ESD保护电路和所述第二噪声隔离ESD保护电路电连接的ESD总线。