[发明专利]用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测系统与方法

权利要求书

1.一种量测系统，用以改善发光二极体磊晶片的光激发光的强度量测失真，该系统包含：

移动式平台，用以支撑发光二极体磊晶片；

雷射光源，用以激发该发光二极体磊晶片，以使该发光二极体磊晶片产生光激发光；

光激发光光谱仪，具有狭缝，其中该光激发光是经由该狭缝进入到该光谱仪内；

光感测器，具有滤光片以及开口，其中该光激发光透过该开口进入到该光感测器内，以及该开口的直径是大于该光谱仪的该狭缝的宽度；及

控制器，耦合至该移动式平台、该雷射光源、该光激发光光谱仪、以及该光感测器。

2.如权利要求1所述的量测系统，其中该雷射光源具有266、325、375、405、488、或532nm的波长范围。

3.如权利要求1所述的量测系统，其中该开口的直径为该狭缝的宽度的20至2000倍。

4.如权利要求1所述的量测系统，其中该开口具有1mm至50mm的直径。

5.如权利要求1至4其中任一项所述的量测系统，更包含：

白光光源，耦合至该控制器并且用以提供导向该发光二极体磊晶片的白光，以使该发光二极体磊晶片产生反射白光，

其中该光激发光与该反射白光具有相同的光路，以及

其中该反射白光是经由该狭缝进入到该光谱仪内，并且可被该光感测器的该滤光片加以滤除。

6.如权利要求5所述的量测系统，其中该光激发光与该反射白光是同时进入到该光激发光光谱仪内进行量测。

7.一种用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测方法，该方法是使用如权利要求1所述的量测系统，该方法包含下列步骤：

将发光二极体磊晶片装载于该移动式平台上；

借由该雷射光源来激发该发光二极体磊晶片，以使该发光二极体磊晶片产生光激发光；及

将该光激发光导向该光激发光光谱仪以及该光感测器，

其中导向该光谱仪的该光激发光是经由该光谱仪的该狭缝进入到该光谱仪内，以及

其中导向该光感测器的该光激发光透过该光感测器的该开口进入到该光感测器内。

8.如权利要求7所述的用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测方法，其中该雷射光源具有266、325、375、405、488、或532nm的波长范围。

9.如权利要求7所述的用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测方法，其中该开口的直径为该狭缝的宽度的20至2000倍。

10.如权利要求7所述的用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测方法，其中该开口具有1mm至50mm的直径。

11.如权利要求7至10其中任一项所述的用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测方法，其中该量测系统更包含与该控制器耦合的白光光源，借由该白光光源来提供导向该发光二极体磊晶片的白光，以使该发光二极体磊晶片产生反射白光，将该反射白光导向该光激发光光谱仪，其中该反射白光是经由该光谱仪的该狭缝进入到该光谱仪内。

12.根据权利要求11所述的用以改善发光二极体磊晶片的光激发光强度量测失真的量测方法，其中该光激发光与该反射白光是同时进入到该光激发光光谱仪内进行量测。