[发明专利]发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法无效

申请号：	201210019165.4	申请日：	2012-01-20
公开（公告）号：	CN103219256A	公开（公告）日：	2013-07-24
发明（设计）人：	郑炫墩	申请（专利权）人：	艾特麦司股份有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L33/00
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	钟晶;於毓桢
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：
搜索关键词：	发光二极体晶片对应磊晶载盘位置分布图像呈现方法
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【说明书】：

技术领域

本发明是关于一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法。

背景技术

在发光二极体的制造期间，一般会将多个磊晶片配置在磊晶载盘(susceptor)上，然后再将此磊晶载盘置入沉积系统(例如有机金属化学气相沉积(MOCVD，metal-organic chemical vapor deposition)系统)中进行沉积处理，以制造发光二极体磊晶片。在进行沉积处理之后，经常需要对各批发光二极体磊晶片进行量测，以了解各批发光二极体磊晶片的物性是否落在规范之内。然而，发光二极体磊晶片一般是以单片方式进行量测，在量测结束之后再将单片发光二极体磊晶片的物性数据一一输入到电脑中并绘制成数据图表(例如物性曲线图)，然后再将这些无法显示出发光二极体磊晶片的批与批间的关系的数据图表逐一比对，以期找出各批发光二极体磊晶片间的制造条件变异。此种数据整合与数据图表比对的方式乃极为耗时与耗力，并且不易观察出单批磊晶片的物性在沉积腔体内的分布情形，以及随腔体使用时间而变异的状态与趋势。因此，亟需一种可让使用者便于观察各批发光二极体磊晶片间的物性差异以及制造条件变异的方法。

发明内容

为解决上述问题，依照本发明的实施例，提供一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，其包含下列步骤：对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列；依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像；以及在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。该方法可更包含下列步骤：在该显示介面上同时显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。

本发明的其他实施样态以及优点可从以下与用以例示本发明原理范例的随附图式相结合的详细说明而更显明白。此外，为了不对本发明造成不必要的混淆，在本说明书中将不再赘述为人所熟知的元件与原理。

附图说明

在本发明的随附图式中，相同的元件是借由相同的参考符号加以标示。

图1显示发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法的流程图。

图2显示发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法的流程图。

图3显示依照本发明的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的一呈现方法的示意图。

图4A-4F显示依照本发明的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的另一呈现方法的连续示意图。

元件符号说明：

1显示介面

3发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像

5发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像

7发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像