[发明专利]具有环保加工的晶圆制造工艺

说明书

技术领域

本发明有关于一种具有环保加工的晶圆制造工艺，特别是指将原本被测试厂经过测试的良率不足的晶圆或是因其他因素所造成的缺陷晶圆、库存呆料视为瑕疵难加工而欲丢弃的晶圆，再进行切割、研磨及挑选程序，使得具瑕疵晶圆之中仍具完整的晶片，可被再挑选出而被再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。

背景技术

晶圆为制作集成电路(积体电路)元件的基础，而晶圆的制作过程包含有下列几个主要步骤：首先备制出高纯度的液态半导体原料(如硅)，接着利用晶种(seed)借助拉晶(pooling)生成圆柱状的晶棒(ingot)，之后再进行切片(slicing)将晶棒切割成碟状，以形成晶圆。

而晶圆于制造后，会将晶圆送置于测试厂以进行晶圆测试，其晶圆测试主要目的是确认于一晶圆中有哪些良好晶片可供封装之用，最后计算出符合所需电性参数的良率晶片数目，以供测试厂人员对晶圆整体效能做出分析；然而，被测试厂经过测试的良率不足的晶圆，则会被视为瑕疵难加工的晶圆而丢弃或作为库存呆料。其次是晶圆于制造过程中，因其他因素所造成的缺陷晶圆(如有局部破损的晶圆或厚度不平均的晶圆)，也会被视为瑕疵的晶圆而丢弃。

因此，被测试厂经过测试的良率不足的晶圆或是因其他因素所造成的缺陷晶圆、库存呆料视为瑕疵难加工而欲丢弃的晶圆，大多数被当成废弃物处理，如此一来不仅会增加晶圆废弃物产量，又加上大多数废弃晶圆已镀有金属或其它氧化物在表面，该些金属或其它氧化物则会加深对环境的污染。

发明内容

为了解决上述现有技术的问题与缺陷，本发明主要目的是提供一种具有环保加工的晶圆制造工艺，将有瑕疵的整片晶圆(如仅外围有些许破损的晶圆也可为破片、完整片或部分晶片良率不足的晶圆)进行加工，将整片的晶圆进行切割，以形成数个独立的晶片，而依据所需的晶片厚度，于所述各晶片背面进行一预设厚度的研磨，再将研磨后具完整的晶片依序放置于载具的放置槽中，即完成。如此，可将原本被视为瑕疵而欲丢弃的晶圆，再进行切割、研磨及挑选程序，使得具瑕疵晶圆之中仍具完整的晶片，可被再挑选出而被再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。

本发明次要目的是提供一种具有环保加工的晶圆制造工艺，将有些许瑕疵的整片晶圆(如仅外围有些许破损的晶圆也可为破片、完整片或部分晶片良率不足的晶圆)进行加工，将整片的晶圆进行预留一底面厚度的切割，以形成数个相连的晶片，而于所述各相连的晶片背面对预留底面厚度进行厚度研磨，使所述各相连的晶片成为数个独立的晶片，再将研磨后具完整的晶片依序放置于载具的放置槽中，即完成。如此，相同使具瑕疵晶圆之中仍具完整的晶片，可被再挑选出而被再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。

本发明又一目的是提供一种具有环保加工的晶圆制造工艺，将剩余数个晶片或原始晶片厚度过厚的非完整晶圆，接着将具完整的晶片依序放置于载具或是具有放置槽的载具中，而于所述各晶片背面进行一预设厚度的研磨，且将研磨后具完整的晶片再依序放置于载具的放置槽中，即完成。如此，使得于被舍弃晶圆之中仍具完整的晶片或因原始厚度过厚的晶片，可被再挑选出再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，同时符合节能减炭及现今环保目的。

本发明一种具有环保加工的晶圆制造工艺，包含以下步骤：具瑕疵的晶圆；将该晶圆进行切割，以形成数个独立的晶片；于所述各晶片背面进行一个预设厚度研磨；将研磨后具完整的晶片依序放置于载体。

本发明一种具有环保加工的晶圆制造工艺，包含以下步骤：具瑕疵的晶圆；将该晶圆进行预留一个底面厚度的切割，以形成数个相连的晶片；于所述各相连的晶片背面对预留底面厚度进行厚度研磨，使所述各相连的晶片成为数个独立的晶片；将研磨后具完整的晶片依序放置于载体。

本发明一种具有环保加工的晶圆制造工艺，包含以下步骤：剩余数个晶片的非完整晶圆；将具完整的晶片依序放置于载体上；于所述各晶片背面进行一个厚度研磨；将研磨后具完整的晶片再依序放置于载体。

本发明一种具有环保加工的晶圆制造工艺，包含以下步骤：具部分晶片厚度太厚的非完整晶圆；将具完整的晶片依序放置于载体上；于所述各晶片背面进行一个厚度研磨；将研磨后具完整的晶片再依序放置于载体。

如上所述的具有环保加工晶圆制造工艺，该晶圆于切割时，利用一个切割器于晶圆表面以横向与纵向交错方式进行切割。