[发明专利]高频开关

说明书

技术领域

本发明涉及高频开关，尤其涉及使用于无线通信设备的前端部的高频开关。 

背景技术

近来，正在开发通过利用绝缘衬底上的硅(SOI：Silicon On Insulator)技术的金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET：Metal On Semiconductor Field Effect Transistor)实现的使用于便携式电话等的前端部的高频开关的技术。 

一般而言，利用SOI技术的MOSFET的基极(阱、背栅极)会连接到接地电位(以下，将基极连接在接地电位的FET称为“接触(body contact)型FET”)(引用文献1)。 

专利文献1：日本专利公开2005-515657号公报 

但是，由接触型FET构成高频开关，虽然可以得到良好的谐波特性，但插入损耗特性会劣化，因此存在很难满足设备的高性能化的问题。 

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做出的，其目的为，将接触型FET和插入损耗特性良好的浮体型FET(基极为开放电位的FET)进行组合，构 成共同连接在共用端口上的各开关部，从而得到插入损耗特性及谐波特性均良好的高频开关。 

为了解决上述课题，本发明的高频开关包括：使用天线输出发送信号的共用端口；输入上述发送信号的发送端口；分别连接在多个上述发送端口和上述共用端口之间，并导通或截止从各发送端口到上述共用端口的上述发送信号的多个开关部。并且上述开关部具有形成在硅基板上，并以串联的方式连接的多个MOSFET(Metal On Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化层-半导体-场效晶体管)，上述多个MOSFET为接触型FET(Field Effect Transistor，场效晶体管)和浮体型FET中的任一个，且各开关部均包括接触型FET和浮体型FET。 

即，本发明中的高频开关，将接触型FET和插入损耗特性良好的浮体型FET进行组合，构成共同连接在共用端口上的各开关。 

根据本发明可以得到谐波特性及插入损耗特性均良好的高频开关。 

附图说明

图1示出了根据本发明实施方式的高频开关。 

图2是示出构成根据本实施方式的高频开关的MOSFET的剖面结构的剖面图。 

图3示出了构成开关部的各MOSFET由接触型FET构成的现有的高频开关。 

图4示出了构成开关部的各MOSFET由浮体型FET构成时的高频开关。 

图5是用于说明根据本实施方式的高频开关的特性的说明图。 

具体实施方式

下面，对根据本发明实施方式的高频开关进行详细说明。 

图1示出了根据本发明实施方式的高频开关。 

高频开关一般用于无线通信设备的前端部上，并具有根据发送/接收的转换、发送方式的变更以及发送方式的转换中的至少一个进行端口的转换的功能。 

图1示出了根据本实施方式的由SPDT开关构成的高频开关。根据本实施方式的高频开关，可以是由根据发送方式的转换进行端口的转换的发送系统SPDT(Single Pole Double Throw)开关构成的高频开关。即，例如可以进行在GSM终端上的频段的转换(例如，为窄带的850MHz和为宽带的1900MHz之间的转换)。 

如图1中所示，高频开关1具有通过共用端口CX共同(并列)连接到天线110的第1开关部100A和第2开关部100B。 

第1开关部100A，根据输入到第1共用栅极端子GATE_TX1的控制信号，成为导通或截止中的任意一个状态。第1开关部100A，可以将输入到第1发送端口TX1的第1发送信号(例如，为850MHz的发送信号)，通过共用端口CX与天线110进行导通或截止。 

第2开关部100B，根据输入到第2共用栅极端子GATE_TX2的控制信号，成为导通或截止中的任意一个状态。第2开关部100B，可以将输入到第2发送端口TX2的第2发送信号(例如，为1900MHz的发送信号)，通过共用端口CX与天线110进行导通或截止。 

即，高频开关1可以通过第1开关部100A或第2开关部100B中的任意一侧成为导通状态，另外一侧成为截止状态来进行发送端口的转换。 下面，将导通状态的开关部称为导通端(ON Port)的开关部，将截止状态的开关部称为截止端(OFF Port)的开关部。