[发明专利]高频开关

说明书

技术领域

本发明涉及高频开关。

背景技术

近来，正在积极进行便携式电话等无线通信设备的小型化。无线通信设备内部具有多个半导体集成电路，因此如果要实现无线通信设备的小型化，则简化或缩小这些半导体集成电路变为尤为重要。作为设置在无线通信设备内部的半导体集成电路，包括在天线与发送/接收电路之间切换高频信号的传输路径的高频半导体开关(下面称为高频开关)。

在无线通信系统中，高频开关包括分别连接于多个发送/接收电路的多个高频端口以及连接于天线的共用端口。高频开关在多个高频端口与共用端口之间切换高频信号的传输路径，从而选择连接于高频开关的多个发送/接收电路中的一个与天线电连接(参照下面专利文献1)。根据专利文献1公开的高频开关，作为SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上硅)基板上的开关元件，具有多个MOS型场效应晶体管(下面称为MOSFET)，以此切换各高频端口与共用端口之间的高频信号的传输路径。

专利文献1：日本专利公开2005-515657号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种高频开关，利用形成在SOI基板上的MOSFET，维持高频信号的传输路径上的良好的高频特性，并且缩小了电路规模。

本发明的上述目的通过以下手段实现。

根据本发明的一个方面的高频开关包括至少一个发送端口、至少一个接收端口、共用端口、发送侧串联开关、发送侧分路开关、接收侧串联开关以及接收侧分路开关。发送端口用于输入发送信号，接收端口用于输出接收信号，共用端口用于发送发送信号或接收接收信号。发送侧串联开关具有接触型FET，连接于发送端口与共用端口之间。发送侧分路开关具有接触型FET，连接于发送端口与接地端之间。接收侧串联开关具有接触型FET，连接于接收端口与共用端口之间。接收侧分路开关具有至少一个浮体型FET，连接于接收端口与接地端之间。

根据本发明的高频开关，能够维持高频信号的传输路径上的良好的高频特性，还能够缩小电路尺寸。并且能够提高接收侧的隔离特性。

附图说明

图1是根据本发明第一实施方式的高频开关电路图。

图2是根据本发明第一实施方式的高频开关所使用的SOIFET剖面图。

图3是根据本发明第一实施方式的变形例中的高频开关的简要框图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的高频开关的第一实施方式进行说明。本发明的高频开关广泛应用于UMTS(Universal Mobile Telecommunications System，通用移动通信系统)、GSM(Global System for Mobile Communications，全球移动通信系统)等无线通信系统的高频开关。

(一实施方式)

图1是根据本发明第一实施方式的高频开关电路图。在本实施方式的高频开关电路中，在施加的高频信号的功率较大的部分配置针对大功率具有良好的高频特性的FET，且在施加的高频信号的功率较低的部分配置电路规模小且插入损耗低的FET。

如图1所示，本实施方式的高频开关100包括发送端口10、接收端口20、共用端口30、发送侧串联开关40、发送侧分路开关50、接收侧串联开关60以及接收侧分路开关70。

发送端口10是用于输入发送信号的端口。发送端口10连接于发送侧串联开关40的信号输入端子和发送侧分路开关50的信号输入端子。来自发送电路(未图示)的发送信号通过发送端口10传输到发送侧串联开关40和发送侧分路开关50。

接收端口20是用于输出接收信号的端口。接收端口20连接于接收侧串联开关60的信号输出端子和接收侧分路开关70的信号输入端子。来自接收侧串联开关60的接收信号通过接收端口20传输到接收电路(未图示)。

共用端口30是用于发送发送信号或接收接收信号的端口。共用端口30连接于发送侧串联开关40的信号输出端子以及接收侧串联开关60的信号输入端子。并且，在本实施方式中，共用端口30直接连接于天线。但是，共用端口30也可以通过其他结构连接于天线。

发送侧串联开关40用于在发送端口10与共用端口30之间确保或断开高频信号的传输路径。发送侧串联开关40具有至少一个接触型(Body Contact)FET，连接于发送端口10与共用端口30之间。本实施方式的接触型FET是由SOI技术形成的N-MOSFET。后面详细说明接触型FET的结构以及特性。