[发明专利]具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管

权利要求书

1.具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，包含： 

衬底；

由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层，位于衬底之上；

在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；

活性层由阱层、多层势垒结构层依次层叠构成；

多层势垒结构层由一第一氮化铝铟镓薄层和一第二氮化铝铟镓薄层交互重复堆叠形成。

2.根据权利要求1所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述多层势垒结构层是由第一氮化铝铟镓薄层和第二氮化铝铟镓薄层交互重复堆叠所形成的超晶格结构，其重复次数至少为二次。

3.根据权利要求1或2所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一氮化铝铟镓薄层为Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N所构成, 0<x1<1, 0<y1<1，x1+y1<1，第二氮化铝铟镓薄层为Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N所构成, 0≤x2<1, 0<y2<1，x2+y2<1，其中x1≠x2，y1≠y2。

4.根据权利要求1或2所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述多层势垒结构层的厚度小于或等于600埃。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一氮化铝铟镓薄层的厚度为5～50埃，其n型掺杂浓度小于5×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第二氮化铝铟镓薄层的厚度为5～50埃，其n型掺杂浓度小于5×10¹⁸cm^-3。

7.根据权利要求3所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一氮化铝铟镓薄层，其Al、In、Ga组分是固定的。

8.根据权利要求3所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一氮化铝铟镓薄层，其Al、In、Ga组分是变化的。

9.根据权利要求3所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第二氮化铝铟镓薄层，其Al、In、Ga组分是固定的。

10.根据权利要求3所述的具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第二氮化铝铟镓薄层，其Al、In、Ga组分是变化的。