[发明专利]使用极端边缘气体管道的刻蚀装置在审
| 申请号： | 201210017710.6 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219260A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 极端 边缘 气体 管道 刻蚀 装置 | ||
1.一种刻蚀装置，所述刻蚀装置包括：
气体供应系统，所述气体供应系统包括：
双气体管道装置，用于供应气体到被蚀刻的晶圆的中心部分和边缘部分；和
极端边缘气体管道装置，用于向被蚀刻的晶圆的极端边缘处供应刻蚀反应气体；
刻蚀反应腔室，所述刻蚀反应腔室包括与所述双气体管道装置和所述极端边缘气体管道装置相连接的气体喷头。
2.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀反应腔室内的极端边缘气体管道位于气体喷头附近的靠近腔壁的极端边缘处。
3.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述极端边缘气体管道由SiC制成。
4.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述气体喷头中心部分设置有多个圆形喷气孔，气体喷头的外周分布有多个长条状喷气管。
5.如权利要求4所述的刻蚀装置，其特征在于，所述极端边缘供气管道内的气体均匀分布到所述气体喷头的多个长条状喷气管。
6.如权利要求5所述的刻蚀装置，其特征在于，所述多个长条状喷气管的喷射角度可以调节。
7.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述双气体管道装置和所述极端边缘气体管道装置输出的气体的流量和组分分别调整，相互独立。
8.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述极端边缘气体管道装置输出的气体为不易产生聚合物的蚀刻气体。
9.如权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述极端边缘气体管道装置输出的气体为易产生聚合物的蚀刻气体。
10.如权利要求8所述的刻蚀装置，其特征在于，所述不易产生聚合物的蚀刻气体为O2或者CF4或者其混合气体。
11.如权利要求9所述的刻蚀装置，其特征在于，所述易产生聚合物的蚀刻气体为C4F8或者CHF3或者CH2F2或者其混合气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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