[发明专利]一种二芳基乙炔的合成方法

说明书

技术领域

本发明属于有机合成、有机化工、制药工程等技术领域。

背景技术

二芳基乙炔广泛作为液晶材料、导电高分子材料、有机合成和药物合成的中间体，通常通过过渡金属钯、铜、镍等催化卤代芳烃和末端芳基炔烃的交叉偶联，即Sonogashira反应来合成（Chem. Rev. 2007, 107, 874-922；有机化学，2005, 25, 8-24）。

Pd、Cu和Ni等催化剂是Sonogashira反应最普遍被使用的催化剂。迄今为止，绝大多数的碳—碳和碳—杂交叉偶联反应使用了含Pd和Ni的催化剂。尽管这样的交叉偶联反应有较佳的催化性能，然而，Pd高昂的价格以及Pd和Ni较强的毒性阻碍了这类交叉偶联反应在很多场合中的应用^[6]。 鉴于以上的种种问题，最近几年来人们对Sonogashira反应做了多方面的探索与研究，以寻求更为廉价、安全、高效的催化剂体系为主要趋势，并取得了一些重要进展^[7]。但是，这些研究绝大多数还是停留在金属催化方面，重点在寻找新配体、合成新催化剂。近年来研究人员开始把注意力转向强碱存在下的有机催化C-C交叉偶联^[8-9]、C-S偶联 ^[10-11]、C-O偶联^[12]和C-N偶联^[13-15]等交叉偶联领域，这类有机催化剂主要是邻位二胺，一般要配合KOtBu和KOH等强碱一起使用才能起到催化效果。但是，还未见用于Sonagashira交叉偶联反应的有机催化体系或者无催化剂的反应体系的报道。KOH与DMSO混合使用成为一种超强碱^[16]，最近，Bolm报道了这类超强碱促进C-N、C-O、C-S交叉偶联反应^[17]。

受到Bolm对超强碱促进碳－杂原子交叉偶联的启发，在我们长期研究包含C-N偶联在内的有机合成研究基础上^[18-22]，我们把以前只应用在构建C-X（O、S、N）键的方法延伸到构建Csp2-Csp键的Sonogashira反应上。采用KOH-DMSO体系促进卤代芳烃与端炔的交叉偶联反，取得较好的结果，这在 Sonogashira反应研究领域中属于首次报道。该方法不仅可以使反应在相对比较温和的条件下进行，由于避免了钯、铜等金属的使用，会大大提高反应的原子经济性，降低污染。

发明内容

本发明的目的是提供一种二苯乙炔类化合物的新合成方法。

本发明发展了无过渡金属、无配体、氢氧化钾/二甲亚砜促进Sonogashira偶联端炔和卤代芳烃偶联合成炔类化合物的新合成方法。

反应方程式如下：

式中，R1为氢、C1-C6烷基、芳基，R2为C1-C6烷基、芳基。

该反应的合成方法：在氩气保护下，2.5mmol氢氧化钾、0.1 mmol卤代芳烃，3 mL DMSO加入到干燥、磁力搅拌子的磨口试管中，该试管用橡皮翻口塞密封后放入120℃的油浴中加热，分两次加入1.2mmol芳基乙炔，每次0.6 mmol，间隔为10min。TLC监测反应进度，当板上没有原料卤代芳烃的点时停止反应（大约24小时），停止加热，冷却至室温，然后用5ml饱和氯化铵溶液淬灭反应，经过常规后处理和柱色谱分离纯化得到二芳基乙炔。

考察的各种原料和结果见表1。

 

具体实施方式

下面通过实施例进一步阐述本发明，并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

 

实施例1