[发明专利]晶棒表面纳米化工艺、晶圆制造方法及其晶圆

权利要求书

1.一种晶棒表面纳米化工艺，其特征在于，在晶棒进行切片步骤之前，先针对晶棒的至少一表面进行一表面处理步骤，以在所述表面形成一具有纳米结构的微结构层。

2.如权利要求1所述的晶棒表面纳米化工艺，其特征在于，所述表面处理步骤是针对所述表面进行湿蚀刻。

3.如权利要求2所述的晶棒表面纳米化工艺，其特征在于，所述表面处理步骤是将所述表面浸入至少由氢氟酸溶液、硝酸银溶液、过氧化氢溶液及溶剂依照一预定比例混合所得的酸性蚀刻液。

4.如权利要求3所述的晶棒表面纳米化工艺，其特征在于，所述酸性蚀刻液中的氢氟酸溶液、溶剂、硝酸银溶液及过氧化氢溶液的比例为20:40:1:4。

5.如权利要求2所述的晶棒表面纳米化工艺，其特征在于，所述表面处理步骤是将所述表面浸入至少由硝酸、磷酸与溶剂混合所得的蚀刻液。

6.一种晶圆制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成一晶棒，所述晶棒是由一初始晶棒所加工形成，所述晶棒具有一黏着面；

进行一表面处理步骤，以在所述黏着面形成一具有纳米结构的微结构层；

提供一载具，并形成一连接层于所述黏着面的微结构层上，以利用所述连接层将所述晶棒固定在所述载具上；

进行一切片步骤。

7.如权利要求6所述的晶圆制造方法，其特征在于，所述表面处理步骤是针对所述黏着面进行湿蚀刻或干蚀刻。

8.如权利要求7所述的晶圆制造方法，其特征在于，所述表面处理步骤是将所述黏着面浸入至少由氢氟酸溶液、硝酸银溶液、过氧化氢溶液及溶剂依照一预定比例混合所得的酸性蚀刻液；或者所述表面处理步骤是将所述黏着面浸入至少由硝酸、磷酸与溶剂混合所得的蚀刻液；或者所述表面处理步骤是利用等离子体将所述黏着面进行改质。

9.如权利要求8所述的晶圆制造方法，其特征在于，所述酸性蚀刻液中的氢氟酸溶液、溶剂、硝酸银溶液及过氧化氢溶液的比例为20:40:1:4。

10.如权利要求6所述的晶圆制造方法，其特征在于，在进行一表面处理步骤的步骤中，还包括一将所述晶棒的全表面制作出所述具有纳米结构的微结构层的步骤。

11.一种晶圆，是由一晶棒经过切割所形成的，所述晶圆具有至少一个由相邻两切割道所界定的侧面，所述侧面上形成一具有纳米结构的微结构层。

12.如权利要求11所述的晶圆，其特征在于，所述的具有纳米结构的微结构层是形成于所述侧面的全部或一部分。

13.一种晶圆制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成一晶棒，所述晶棒是由一初始晶棒所加工形成；

进行一表面处理步骤，以在所述晶棒的表面上形成一具有纳米结构的微结构层；

提供一载具，并形成一连接层于所述微结构层上，以利用所述连接层将所述晶棒固定在载具上；

进行一切片步骤。

14.如权利要求13所述的晶圆制造方法，其特征在于，所述表面处理步骤是针对黏着面进行湿蚀刻或干蚀刻。

15.如权利要求14所述的晶圆制造方法，其特征在于，所述表面处理步骤是将黏着面浸入至少由氢氟酸溶液、硝酸银溶液、过氧化氢溶液及溶剂依照一预定比例混合所得的酸性蚀刻液；或者所述表面处理步骤是将黏着面浸入至少由硝酸、磷酸与溶剂混合所得的蚀刻液；或者所述表面处理步骤是利用等离子体将黏着面进行改质。

16.如权利要求15所述的晶圆制造方法，其特征在于，所述酸性蚀刻液中的氢氟酸溶液、溶剂、硝酸银溶液及过氧化氢溶液的比例为20:40:1:4。