[发明专利]固态摄像装置、制造固态摄像装置的方法及电子设备无效
申请号: | 201210017259.8 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN102623478A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 泷本香织 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L27/146;H04N5/361;H04N5/372 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种固态摄像装置,包括:
光电转换部分,形成在基板上,并且由光敏二极管组成;
摄像区域,其中形成多个像素,每个像素包括读出电极,所述读出电极用于读出所述光电转换部分中产生且累积的信号电荷;以及
挡光膜,在所述摄像区域的有效像素区域中所述光电转换部分正上方具有开口部分,并且对所述摄像区域的光学黑像素区域中的所述光学转换部分进行挡光,
其中在所述光学黑像素区域中的所述光电转换部分正上方形成在所述挡光膜和所述基板之间的膜仅由氧化硅膜组成。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中所述挡光膜连接到所述读出电极,并且用作控制配线,所需电势通过所述控制配线提供到所述读出电极。
3.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中抗反射膜仅形成在所述有效像素区域中形成的所述光电转换部分正上方的氧化硅膜层内。
4.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中与围绕所述有效像素区域中的所述光电转换部分的所述挡光膜相比,所述光学黑像素区域中的所述挡光膜以距所述基板更远的位置形成。
5.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中所述读出电极和所述挡光膜均由W、Al、Ru或其合金材料制成。
6.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中由金属材料制成且具有两层或更多层的层叠结构的屏蔽金属膜形成在所述读出电极和所述挡光膜的每个的下层中。
7.一种制造固态成像装置的方法,包括:
制备基板,该基板在由有效像素区域和光学黑像素区域组成的摄像区域中包括光电转换部分,该光电转换部分对应于接收光的量而产生且累积信号电荷;
在所述基板上方隔着栅极绝缘膜形成读出电极,所述读出电极用于读出所述光电转换部分中累积的信号电荷;
在所述读出电极上方形成由氧化硅膜形成的绝缘膜;以及
以在所述光学黑像素区域中的所述光电转换部分正上方仅形成由氧化硅膜形成的所述绝缘膜的状态,在所述绝缘膜上方形成挡光膜,在所述挡光膜中在所述有效像素区域中的所述光电转换部分的正上方形成开口部分,并且所述挡光膜对所述光学黑像素区域中的所述光电转换部分进行挡光。
8.根据权利要求7所述的制造固态摄像装置的方法,还包括:
在形成所述挡光膜前,在所述有效像素区域中的所述光电转换部分正上方形成抗反射膜。
9.根据权利要求8所述的制造固态摄像装置的方法,其中所述挡光膜形成为电连接到所述读出电极。
10.根据权利要求7所述的制造固态摄像装置的方法,还包括:
在形成所述绝缘膜后,在所述有效像素区域和所述光学黑像素区域的所述光电转换部分上方的所述绝缘膜中形成具有所需深度的沟槽部分,
其中所述挡光膜沿着所述沟槽部分的形状形成在所述绝缘膜上。
11.根据权利要求7所述的制造固态摄像装置的方法,还包括:
在形成所述绝缘膜后,仅在所述有效像素区域的所述光电转换部分正上方的所述绝缘膜中形成具有所需深度的沟槽部分,
其中所述挡光膜沿着所述沟槽部分的形状形成在所述绝缘膜上。
12.一种电子设备,包括:
光学透镜;
固态摄像装置,包括:
光电转换部分,形成在基板上且由光敏二极管组成,
摄像区域,其中形成多个像素,每个像素包括读出电极,所述读出电极用于读出所述光电转换部分中产生且累积的信号电荷;以及
挡光膜,在所述摄像区域的有效像素区域中所述光电转换部分正上方具有开口部分,并且在所述摄像区域的光学黑像素区域中对所述光学转换部分进行挡光,
在所述光学黑像素区域中形成在所述挡光膜和所述基板之间的膜仅由氧化硅膜形成,其中由所述光学透镜聚集的光入射到所述固态摄像装置;以及
信号处理电路,处理从所述固态摄像装置输出的输出信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的