[发明专利]一种检测晶圆内部的杂质的方法

权利要求书

1.一种检测晶圆内部的杂质的方法，其特征在于，包括：

将晶圆表面蚀刻去除预定厚度；

在蚀刻后的晶圆表面上进行采样，获得所述蚀刻后的晶圆的采样样品；

对所述采样样品进行分析，获得所述晶圆内部的杂质的信息。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述将晶圆表面蚀刻去除预定厚度包括：

将所述晶圆置入蚀刻装置；

向蚀刻装置中注入氟化氢气体，所述氟化氢气体蚀刻去除所述晶圆表面的二氧化硅；

向蚀刻装置中注入臭氧气体，所述臭氧气体将所述晶圆表面的硅氧化成为二氧化硅；

判断蚀刻去除的晶圆厚度是否达到所述预定厚度，如果未达到所述预定厚度，则重复所述向蚀刻装置中注入氟化氢气体的步骤和所述向蚀刻装置中注入臭氧气体的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在蚀刻后的晶圆表面上进行采样包括：

当所述蚀刻后的晶圆表面为氧化层时，对所述蚀刻后的晶圆表面进行亲水面定点采样；

当所述蚀刻后的晶圆表面为去氧化层时，对所述蚀刻后的晶圆表面进行疏水面定点采样或晶圆端面采样。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：对所述样品进行分析包括：对所述采样样品进行电感耦合等离子体质谱分析。