[发明专利]一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法无效
申请号: | 201210015942.8 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102543770A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 李阳;钱建平 | 申请(专利权)人: | 浙江阳光照明电器集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/16;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 312300 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紧凑型 荧光灯 专用 驱动 集成电路 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半桥驱动集成电路的封装方法,尤其是涉及一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法。
背景技术
[0002] 在灯具照明制造行业中,经常会采用一些应用集成电路工艺制造的带有内置功率MOS管的专用半桥驱动集成电路,该半桥驱动集成电路构成灯具的主体电路。紧凑型荧光灯(CFL)作为一种新型的节能灯具,在日常生活中得到了越来越多的应用。目前常用的紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路一般包括高压驱动电路、低压逻辑控制电路以及两个半桥功率MOS 管。低压控制电路是负责整个集成电路的逻辑控制、并输出对两个半桥功率MOS管的控制信号的低压控制芯片,高压驱动电路是负责对低压控制芯片的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的功率MOS管实施栅极控制的高压驱动芯片。两个半桥功率MOS 管分别为半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS 管和半桥震荡电路低压侧的第二功率MOS 管。目前,紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路常用的封装类型为DIP8型,在其封装方法中,高压驱动电路和低压逻辑控制电路混合设置,在高压驱动电路和低压逻辑控制电路中均需要大量采用高压工艺,增加了其制造成本增加,从而限制了其市场竞争力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种成本较低的紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法,包括以下步骤:
(1)在一个引线框架上设置三个岛,三个岛分别为第一岛、第二岛和第三岛,将所述的第一岛设置在所述的引线框架的一侧,将所述的第二岛和所述的第三岛上下排列设置在所述的引线框架的另一侧;
(2)在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区,在第二岛上设置第三固晶区,在第三岛上设置第四固晶区;
(3)将高压驱动芯片贴装在第一固晶区,将低压控制芯片贴装在第二固晶区,将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区,两个功率MOS管分别为第一功率MOS管和第二功率MOS管;
(4)将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连;
(5)将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接。
所述的步骤(4)中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管通过金线互连,所述的步骤(5)中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接。
所述的引线框架上设置有第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚,所述的第一功率MOS管与所述的第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔,所述的第二功率MOS管和所述的第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔,所述的第一引脚固定加强孔和所述的第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔。
与现有技术相比,本发明的优点在于通过在引线框架上设置第一岛、第二岛和第三岛,在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区,在第二岛上设置第三固晶区,在第三岛上设置第四固晶区,将高压驱动芯片贴装在第一固晶区,将低压控制芯片贴装在第二固晶区,将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区,实现了集成电路中高压驱动电路和低压逻辑控制电路的分置,可以在低压逻辑控制电路中采用低压工艺,减少了集成电路中高压工艺的使用,降低了制造成本;
当高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管通过金线互连,高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接时,减少了集成电路中金线的使用量,降低了材料成本;
当在引线框架上分别设置有第一引脚固定加强孔和第二引脚固定加强孔,第一引脚固定加强孔和第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔时,可以有效增加第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面,使得第一功率MOS管和第二功率MOS管产生的热量可以更快地通过引出脚散出封装体之外,另外,在第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面增大的同时,增加了第二岛和第三岛的面积,第二岛和第三岛进一步分摊第一功率MOS管和第二功率MOS管产生的热量并最终通过封装壳体散出去,提高了内置的第一功率MOS管和第二功率MOS管的承载能力及集成电路整体的热导出能力。
附图说明
图1为本发明的封装的一种结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江阳光照明电器集团股份有限公司,未经浙江阳光照明电器集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210015942.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造