[发明专利]一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210015665.0 申请日: 2012-01-18
公开(公告)号: CN102604203A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 惠志峰 申请(专利权)人: 成都慧成科技有限责任公司
主分类号: C08L23/12 分类号: C08L23/12;C08L23/06;C08L33/20;C08L25/12;C08L27/18;C08L25/06;C08L67/02;C08K5/098;C08K3/36;C08K3/22;C08K5/20;C08K3/26;C08K3/30
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地址: 610045 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进型 微孔 聚合物 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1. 一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的改进型微孔聚合物薄膜由聚丙烯均聚物55%~99.79%、β晶成核剂0.01%~5%、高分子添加剂0.1%~20%和无机改性剂0.1%~20%组成,其中百分数为质量百分数。

2. 如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的聚丙烯均聚物为至少94%,优选95-99%的高全同立构规整度(13C NMR;三单元组方法)的全同立构丙烯均聚物,并具有150oC或更高,优选150~170oC的熔点(通过DSC测定)。

3.一般而言,在230oC和2.16kg负荷(DIN53735)下,熔体流动指数为0.1至10g/10min,优选0.2至8g/10min。

4.正庚烷可溶性比例低于15重量%,优选1~10重量%的全同立构丙烯均聚物是用于所述优选的聚丙烯均聚物。

5. 如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的优选使用高活性的β成核剂,其在冷却熔体薄膜时产生40-99%,优选50-95%(DSC)的β晶比例。

6.该β晶比例是由经冷却的熔体薄膜的DSC确定的。

7.所述的β晶型成核剂由以下的一种或一种以上的混合物组成:二元羧酸的钙盐,如庚二酸钙或辛二酸钙;二羧酰胺类,如N,N-二环己基-2,6,-萘二羧酰胺、N,N-二环己基对苯二甲酰胺;喹吖啶酮系化合物,γ-喹吖啶酮、二氢喹吖啶或邻苯二甲酸的钙盐。

8.所述β晶成核剂占所述微孔性聚丙烯薄膜总质量的0.01%~10%,优选0.02~5%。

9.所述的百分数为质量百分数。

10. 如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的无机改性剂为粒度在0.01-5μm的颗粒,尤其是二氧化硅颗粒、二氧化钛颗粒、氧化镧颗粒、氧化锆颗粒、氧化铝颗粒、硫酸钡颗粒、碳酸钙颗粒中的一种或一种以上的混合物。

11.所述的无机改性剂占所述微孔性聚丙烯薄膜总质量的0.01%~20%。

12. 如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的高分子添加剂为以下物质中的一种或一种以上的混合物:聚四氟乙烯(PTFE)、超高分子量聚乙烯(UHMWPE)、聚(己二酸丁二醇酯-co-对苯二甲酸丁二醇酯)(PBAT)、聚苯乙烯(PS)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(SAN)。

13.所述高分子添加剂占所述聚丙烯薄膜总质量的0.01-20%。

14. 如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的聚丙烯经熔融挤出后,在静态结晶条件下得到的基膜,经DSC测定,在DSC熔融曲线上,β晶熔融峰的起始熔融温度(Tonset)在130-150oC之间,优选135-148oC。

15.β晶熔融峰的终止熔融温度(Tendset)不低于151oC,优选152~160oC。

16. 如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的所述β晶的平均直径为0.05~80μm,β晶含量K值应不低于0.81。

17. 如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的薄膜的密度为0.05至0.8g/cm3

如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的的Gurley值为100至15000s/100 cm3

18. 如权利要求1所述的一种改进型微孔聚合物薄膜及其制备方法,其特征在于所述的薄膜的厚度为1-100μm。

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