[发明专利]输出电路、温度开关IC以及电池组有效
申请号: | 201210015595.9 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102624371A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 三谷正宏;平冈直洋;杉浦正一;五十岚敦史 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 电路 温度开关 ic 以及 电池组 | ||
技术领域
本发明涉及单侧输出为高阻抗的输出电路,尤其涉及当电源电压较低时能稳定工作的输出电路。本发明还涉及具备该输出电路的温度开关IC以及电池组。
背景技术
说明现有的输出电路。图7是示出现有的输出电路的电路图。
现有的输出电路具有与输入端子连接的反相器97、作为输出驱动器的NMOS晶体管93、设置于电源与接地之间的进行了二极管连接的NMOS晶体管95和电容96、被以上部件控制的NMOS晶体管94。
当对电路接通电源后,电源电压VDD逐渐升高。当电源电压VDD低于阈值电压Vthn95时,NMOS晶体管95处于非导通。电容96使得NMOS晶体管94的栅极电压成为接地电压VSS,因此NMOS晶体管94截止。因而输出电路的输出端子处于高阻抗状态。因此,在电源接通时等电源电压VDD低于电路的最低工作电压的情况下,可确定输出电路的输出端子必定处于高阻抗状态。
当电源电压VDD高于NMOS晶体管95的阈值电压Vthn95时,NMOS晶体管95导通。电容96利用NMOS晶体管95流出的电流进行充电。当栅极电压逐渐变高而高于阈值电压时,NMOS晶体管94导通。NMOS晶体管94导通后,NMOS晶体管93的功能变得有效,将反相器97的输出传递给输出端子。在输出电路的输入端子的电压为低电平的情况下,NMOS晶体管93导通,输出端子的输出电压VOUT成为接地电压VSS。另外,在输出电路的输入端子的电压为高电平的情况下,NMOS晶体管93截止,输出端子的输出电压VOUT成为高阻抗状态(例如,参见专利文献1)。
专利文献1:日本特开平06-075668号公报
在现有的输出电路中,与NMOS晶体管93串联地设有NMOS晶体管94。作为输出驱动器的NMOS晶体管93,要求具有驱动能力,因此要使用大尺寸的NMOS晶体管。因此,对于NMOS晶体管94,要求具有与NMOS晶体管93同等以上程度的驱动能力。
在现有的输出电路中,NMOS晶体管94的尺寸较大,因此存在输出电路的面积变大的课题。
发明内容
本发明的输出电路正是鉴于上述课题而完成的,提供面积较小的输出电路。
本发明为了解决上述课题,提供一种开漏输出的输出电路,其特征在于,该输出电路具有:反相器电路,其与上述输出电路的输入端子连接;输出MOS晶体管,其栅极与上述反相器电路的输出端子连接,漏极与上述输出电路的输出端子连接,源极与第1电源端子连接;开关电路,其设置于上述反相器电路与第2电源端子之间;以及电流源,其设置于上述输出MOS晶体管的栅极与上述第1电源端子之间,当电源电压低于上述输出电路的最低工作电压时,上述开关电路截止。
本发明的输出电路构成为,在电源电压小于电路的工作电压时,停止反相器的工作,控制输出驱动器的栅极,使其截止。因此,在输出驱动器的源极与电源之间无需尺寸较大的MOS晶体管,因此能够提供即使电源电压小于工作电压、输出也不会不稳定、且面积较小的输出电路。
附图说明
图1是示出本实施方式的输出电路的电路图。
图2是示出本实施方式的输出电路的其它例子的电路图。
图3是示出本实施方式的输出电路的其它例子的电路图。
图4是示出电池组的框图。
图5是示出电池保护IC的框图。
图6是示出温度开关IC的框图。
图7是示出现有的输出电路的电路图。
标号说明
10输出电路;31电流源;50电池组;51电池保护IC;52温度开关IC;58电池;61、62、71、72基准电压生成电路;63过放电检测比较器;64过充电检测比较器;73高温检测比较器;74低温检测比较器;75温度电压生成电路。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。
图1是示出本实施方式的输出电路的电路图。
输出电路10具有PMOS晶体管11和12、NMOS晶体管21和22、电流源31。
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