[发明专利]基板处理装置的干式清洁方法

权利要求书

1.一种基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于，通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜：

氧化所述金属膜而形成金属氧化物的工序、

使所述金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和

使所述络合物升华的工序，

边将所述处理腔室内加热，边向所述处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且

将所述清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为所述金属氧化物的产生速度不超过所述络合物的产生速度的范围。

2.一种基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于，通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的镍膜：

氧化所述镍膜而形成镍氧化物的工序、

使所述镍氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和

使所述络合物升华的工序，

边将所述处理腔室内加热，边向所述处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且

将所述清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为所述镍氧化物的产生速度不超过所述络合物的产生速度的范围。

3.如权利要求2所述的基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于：所述β-二酮是六氟乙酰丙酮。

4.如权利要求3所述的基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于：所述清洁气体中的氧相对于六氟乙酰丙酮的流量比(氧流量/β-二酮流量)为1～5％的范围，所述处理腔室内的加热温度为250℃～325℃。

5.如权利要求3或4所述的基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于：设所述清洁气体中的所述氧的分压(P(O₂))和所述六氟乙酰丙酮的分压(P(Hhfac))的比(P(O₂)/P(Hhfac))与温度(T)的关系满足

P(O₂)/P(Hhfac)≤1.5×4.329×10^-17×T^5.997的范围。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于：使所述清洁气体中的氧的流量逐渐增加。

7.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于：向所述处理腔室内供给加热的气体，将该处理腔室加热。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于：其包括向所述处理腔室内供给还原性气体或等离子体的工序。