[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210015217.0 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102569560A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 崔镇植 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
n电极，所述n电极具有顶表面和底表面；
形成在所述n电极的顶表面中的不均匀图案；
形成在所述n电极上的n型半导体层，所述n型半导体层具有顶表面和底表面；
形成在所述n型半导体层的底表面中的不均匀图案，所述n型半导体层的不均匀图案接触所述n电极的不均匀图案；
形成在所述n型半导体层上的有源层；
形成在所述有源层上的p型半导体层；以及
形成在所述p型半导体层上的p电极。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中形成在所述n电极的顶表面中的不均匀图案延伸跨越所述n电极和所述n型半导体层之间的整个边界。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n型半导体层和所述p型半导体层由GaN形成。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n电极和p电极中的至少一个是透明的。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述有源层是多量子阱结构。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述p型半导体层和所述p电极之间的p接触半导体层。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在接触所述p电极的所述p型半导体层中的不均匀图案。
8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述p型半导体层中的不均匀图案以规则的间隔形成。
9.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述p型半导体层中的不均匀图案以不同的间隔形成。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n型半导体层中的不均匀图案以规则的间隔形成。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n型半导体层中的不均匀图案以不同的间隔形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210015217.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种温控磁性骨水泥及制备方法
- 下一篇：用于在半导体本体中制造插塞的方法
