[发明专利]具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构

权利要求书

1.一种具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，包括蓝宝石基板（1）、多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（6）、P型氮化镓外延层（7）、负电极金属层（9）、以及正电极金属层（10）；其特征在于：还包括低温氮化镓中间层（2）、第一层N型氮化镓外延层（3）、埋入式银纳米粒子层（4）、第二层N型氮化镓外延层（5）、以及铟锡氧化物透明导电层（8）；其中，低温氮化镓中间层（2）堆栈于蓝宝石基板（1）上；第一层N型氮化镓外延层（3）堆栈于低温氮化镓中间层（2）上；埋入式银纳米粒子层（4）堆栈于第一层N型氮化镓外延层（3）上；第二层N型氮化镓外延层（5）堆栈于埋入式银纳米粒子层（4）上；多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（6）堆栈于第二层N型氮化镓外延层（5）上，且第二层N型氮化镓外延层（5）部分曝露于多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（6）外；P型氮化镓外延层（7）堆栈于多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（6）上；铟锡氧化物透明导电层（8）堆栈于P型氮化镓外延层（7）上；负电极金属层（9）堆栈于第二层N型氮化镓外延层（5）的曝露部分上；正电极金属层（10）堆栈于P型氮化镓外延层（7）上，且正电极金属层（10）与铟锡氧化物透明导电层（8）连接。

2.根据权利要求1所述的具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，其特征在于：所述蓝宝石基板（1）是采用蓝宝石制成的。

3.根据权利要求1或2所述的具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，其特征在于：所述低温氮化镓中间层（2）是采用低温氮化镓制成的。

4.根据权利要求1或2所述的具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，其特征在于：所述埋入式银纳米粒子层（4）是采用银制成的。

5.根据权利要求3所述的具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，其特征在于：所述埋入式银纳米粒子层（4）是采用银制成的。

6.根据权利要求1或2所述的具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，其特征在于：所述埋入式银纳米粒子层（4）是利用高温热处理技术在含氧气环境下制作而成的纳米粒子结构。

7.根据权利要求3所述的具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，其特征在于：所述埋入式银纳米粒子层（4）是利用高温热处理技术在含氧气环境下制作而成的纳米粒子结构。

8.根据权利要求4所述的具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，其特征在于：所述埋入式银纳米粒子层（4）是利用高温热处理技术在含氧气环境下制作而成的纳米粒子结构。

9.根据权利要求5所述的具有埋入式银纳米粒子的白光LED芯片结构，其特征在于：所述埋入式银纳米粒子层（4）是利用高温热处理技术在含氧气环境下制作而成的纳米粒子结构。