[发明专利]半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法无效
| 申请号： | 201210014387.7 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102545041A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 冯美鑫;张书明;刘建平;王辉;曾畅;杨辉 | 申请（专利权）人： | 苏州纳睿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/028;H01S5/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 镀膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光器腔面镀膜陪条，用于激光器巴条（2）镀膜时将两激光器巴条间隔开，其特征在于：所述镀膜陪条（3）为凸形横截面的长条，且镀膜陪条（3）的宽度短于激光器巴条（2）的宽度。
2.一种半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：
（1）选择制备所述镀膜陪条的基片；
（2）在步骤（1）中的基片的至少一表面上加工复数条槽（4）；
（3）将步骤（2）得到的基片沿各所述槽的轴向解理成宽度小于激光器巴条宽度的镀膜陪条。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的基片为Si片、蓝宝石片、InP片、SiC片或GaAs片中的一种。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法，其特征在于：步骤（3）中使用的解理方法为激光解理、Opto划片、Opto解理、loomis解理、disco解理、离子束刻蚀或ICP刻蚀中的一种。
5.根据权利要求2所述的半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法，其特征在于：所述槽的深度为10-300um、宽度为10-400um。
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