[发明专利]室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 201210014357.6 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102530854A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;苏言杰;魏浩 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 室温 等离子体 刻蚀 制备 半导体 性单壁碳 纳米 方法 | ||
1.室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)将均匀分散在有机溶剂中的碳纳米管滴在载玻片上并烘干；
(2)将烘干后载玻片放入等离子处理设备中并抽真空至10-2Pa；
(3)调节等离子体处理腔内低压气体的压力、等离子体功率、刻蚀时间实现对金属性单壁碳纳米管的刻蚀，留下半导体性单壁碳纳米管，即为产品。
2.根据权利要求1所述的室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述的有机溶剂为N、N-二甲基甲酰胺、异丙醇或乙醇。
3.根据权利要求1所述的室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述的碳纳米管在有机溶剂中的固含量为5～20mg/100ml。
4.根据权利要求1所述的室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述的低压气体为单质气体，包括氩气、氦气、氮气、氢气或氧气。
5.根据权利要求1所述的室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述的低压气体为化合物气体，包括一氧化碳、二氧化碳或甲烷。
6.根据权利要求1所述的室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述的低压气体的压力为1～100Pa。
7.根据权利要求1所述的室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述的等离子体功率为10～100W。
8.根据权利要求1所述的室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述的刻蚀时间为0.1～60min。
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