[发明专利]一种用于提供低噪声带隙基准电压源的电路

说明书

技术领域

本发明涉及带隙基准电压源领域，特别涉及一种低噪声带隙基准电压源。

背景技术

射频RF芯片中需要给射频RF模块提供一个低噪声带隙基准电压源，并且不允许各个模块工作时干扰低噪声带隙基准电压源,传统的做法是在带隙基准电压源的输出外挂一个大电容。通过大电容对带隙基准电压源进行滤波。

然而，采用一般的外挂大电容对带隙基准电压源进行滤波存在以下问题：

(1)需要在芯片外增加一个大电容，给整个方案增加了一个电容费用的成本，需要在印刷电路板PCB(Printedcircuitboard)板上增加一个电容的面积。同时外接电容需要芯片多一个芯片引脚，这样给芯片增加了一根绑定线成本。

(2)由于RF芯片中需要用到低噪声带隙基准电压源的RF模块很多，但是带隙基准电压源只能外挂一个片外电容，所以所有需要用到低噪声带隙基准电压源的RF模块必须共用一个低噪声带隙基准电压源。

(3)带隙基准电压源外挂电容会带来带隙基准电压源启动时间过长的问题，这会带来整个系统启动时间的开销。

发明内容

本发明实施例提供了一种低噪声带隙基准电压源。

本发明实施例提供了一种用于提供带隙基准电压源的电路，包括电流型带隙基准电压源、第一电阻、低通滤波器；

所述电流型带隙基准电压源用于输出带温度系数的电流；

所述第一电阻一端连接所述电流型带隙基准电压源的输出端，另一端接地，所述第一电阻用于将所述带温度系数的电流转化为零温度系数的带隙基准电压；

所述低通滤波器用于将所述零温度系数的带隙基准电压转化为低噪声带隙基准电压输出。

上述的电路还包括，所述低通滤波器包括第一PMOS管、第二PMOS管，第一电容；

所述第一PMOS管源极与所述第一电阻非接地端连接，漏极与所述低通滤波器输出端连接，衬底接地；

所述第二PMOS管源极与所述第一电阻非接地端连接，漏极与所述低通滤波器输出端连接，所述第二PMOS管在所述电流型带隙基准电压源启动时开启，在所述电流型带隙基准电压源启动完毕后关闭；

所述第一电容一端与所述低通滤波器输出端连接，另一端接地。

上述的电路还包括，快速启动电路，所述快速启动电路用于将所述电流型带隙基准电压源的外部使能信号转化为快速启动信号输出至所述第二PMOS管的衬底。

上述的电路还包括，所述快速启动电路包括第一非门、第二非门、第三非门、第四非门、第二电阻、第二电容、或非门；

所述第一非门、第二非门依次连接；

所述第二电阻一端连接所述第二非门输出端，一端连接所述第三非门输入端；

所述第二电容一端连接所述第三非门输入端，一端接地；

所述第三非门、第四非门依次连接；

所述或非门的输入端分别连接所述第一非门的输出端、所述第四非门的输出端，所述或非门输出所述快速启动信号。

上述的电路还包括，所述电流型带隙基准电压源包括第一三极管(214)，第二三极管(215)，第三电阻(201)，第四电阻(205)，第五电阻(206)，运算放大器(207),第三PMOS管(208),第四PMOS管(209)，第五PMOS管(210),第六PMOS管(211)，第七PMOS管（214），第八PMOS管（215），第一NMOS管，第二NMOS管，至少一个输出支路；

所述第三PMOS管、第五PMOS管栅极均与所述运算放大器输出端相连，源极均输入工作电压；

所述第四PMOS管源极与所述第三PMOS管漏极相连，栅极与所述第六PMOS管栅极相连，漏极与所述运算放大器负向输入端相连；

所述第六PMOS管源极与所述第五PMOS管漏极相连，漏极与所述运算放大器正向输入端相连；

所述第一三极管发射极与所述运算放大器负向输入端相连，基极、集电极接地；

所述第二三极管发射极通过所述第三电阻与所述运算放大器正向输入端相连，基极、集电极接地；

所述第一三极管的面积与所述第二三极管的面积比例为1:n，n为正整数；

所述第四电阻一端连接所述运算放大器负向输入端，另一端接地；

所述第五电阻一端连接所述运算放大器正向输入端，另一端接地；

所述第七PMOS管栅极连接所述第五PMOS管栅极、所述输出支路输入端，源极输入工作电压，漏极连接所述第一NMOS管漏极；