[发明专利]N型背接触太阳电池生产工艺

权利要求书

1. N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于包括如下步骤：

第一步、对N型硅基体制绒，使硅基体的向光面得到具有陷光作用的绒面陷光结构；

第二步、对制绒后的硅基体表面进行氧化，使硅基体表面生成二氧化硅氧化层；

第三步、除去硅基体背光面与正电极图案相符的二氧化硅形成扩散窗口；

第四步、对硅基体进行硼源热扩散，使扩散窗口内的硅被硼掺杂形成P-N结；

第五步、去除硅基体表面剩余的二氧化硅氧化层以及其他杂质；

第六步、对制作好P-N结的硅基体进行氧化，使硅基体表面生成二氧化硅膜；

第六步、在硅基体的向光面镀上减反射膜；

第七步、在硅基体的背光面进行金属正负电极的浆料丝网印刷，使正极图形与扩散窗口叠合，负极图形与正极图形对应；

第八步、烧结浆料，在硅基体的背光面得到金属电极，完成电池片的制作。

2. 根据权利要求1所述的N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于：所述第一步中，如果N型硅基体为单晶硅片和类单晶硅片，则进行碱制绒；如果N型硅基体为多晶硅片，则进行酸制绒。

3. 根据权利要求1所述的N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于：所述第二步、第六步中，采用湿热氧化法对硅基体的表面进行氧化。

4. 根据权利要求1所述的N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于：第三步中，采用对二氧化硅有腐蚀作用的浆料对硅基体的背光面进行丝网印刷，得到与正电极图案相符的扩散窗口，接着对腐蚀后的硅基体进行清洗，去除腐蚀浆料及杂质，然后干燥硅基体。

5. 根据权利要求1所述的N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于：第三步中，采用激光刻蚀硅基体背光面的二氧化硅层，得到与正电极图案相符的扩散窗口，接着对开窗后的硅基体进行清洗，去杂质，然后干燥硅基体。

6. 根据权利要求1所述的N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于：第五步中用氢氟酸、盐酸清洗除去硅基体表面剩余的二氧化硅氧化层及其他杂质，然后干燥硅基体。

7. 根据权利要求1所述的N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于：第六步中，采用PECVD或PVD方法在硅基体的向光面镀减反射膜。

8. 根据权利要求1所述的N型背接触太阳电池生产工艺，其特征在于：所述第七步中正负电极的丝网印刷为一次印刷完成。