[发明专利]幅移键控解调器和幅移键控信号的解调方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种幅移键控(Amplitude Shift Keying，ASK)解调器；本发明还涉及一种幅移键控信号的解调方法。

背景技术

ASK解调器在通信系统中普遍采用。例如，在电子收费系统(Electronic Toll Collection，ETC)中比较典型的是，路侧读写单元(Road Side Unit，RSU)广播的唤醒信号就是调制为ASK信号。

为了节能，现有技术中一般是采用肖特基二极管(Schottky Barrier Diodes，SBD)或者源极跟随器(Source Followers，SF)来解调ASK信号。但是，SBD和CMOS集成电路不兼容，而源极跟随器解调的增益较小。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种幅移键控解调器，具有极低的功耗，能和CMOS集成电路兼容，能提高解码的可靠性，还能使增益进行动态调整并能扩大所能接收的幅移键控信号的功率范围。为此，本发明还提供一种幅移键控信号的解调方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的幅移键控解调器包括：一整流电路，用于接收幅移键控信号、对该幅移键控信号进行整流以及产生一整流电流。一有源负载电路，和所述整流电路相连接，所述有源负载电路接收所述整流电流并提供一阻抗，当基带信号的频率满足预设条件时，所述阻抗和所述整流电流的至少一部分成反比。一比较器，和所述整流电路以及所述有源负载电路相连接，所述比较器的输入端接收一参考电压和一生成电压，所述生成电压的值至少部分基于所述整流电流和所述阻抗；所述比较器用于对所述参考电压和所述生成电压进行比较并在输出端输出一解码信号。

进一步的改进是，所述有源负载电路包括：一第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的源极和电源连接，所述第一MOS晶体管的漏极和所述整流电路连接；一第一电容，所述第一电容的第一端和电源连接，所述第一电容的第二端和所述第一MOS晶体管的栅极连接；一第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的源极和所述第一MOS晶体管的栅极以及所述第一电容的第二端连接在一起，所述第二MOS晶体管的栅极和所述第一MOS晶体管的漏极连接，所述第二MOS晶体管的漏极接地。

进一步的改进是，所述幅移键控解调器还包括一参考电压产生电路，所述参考电压产生电路和所述比较器连接并提供所述参考电压给所述比较器，所述参考电压的值为所述生成电压的平均值。

进一步的改进是，所述参考电压产生电路包括：一第一电流源，所述第一电流源的第一端连接电源；一第三MOS晶体管，所述第三MOS晶体管的源极和所述第一电流源的第二端、所述第一MOS晶体管的栅极、所述第二MOS晶体管的源极以及所述第一电容的第二端连接在一起；所述第三MOS晶体管的栅极和漏极连接在一起并用于提供所述参考电压；一第二电流源，所述第二电流源的第一端和所述第三MOS晶体管的栅极和漏极连接在一起，所述第二电流源的第二端接地。

进一步的改进是，所述第一电流源提供的电流值为所述第二电流源的电流值的两倍。

进一步的改进是，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管都是P型MOS晶体管。

进一步的改进是，当所述基带信号的频率处于第一频率范围时，所述阻抗的大小和所述第一MOS晶体管的跨导的倒数相同；所述第一频率范围为频率值小于第一转折频率的频率范围；当所述基带信号的频率处于第二频率范围时，所述阻抗和所述整流电流的直流分量成反比，所述第二频率范围为频率值高于第二转折频率的频率范围。

进一步的改进是，所述整流电流包括直流分量和交流分量，所述直流分量至少部分是由所述幅移键控信号的平均功率决定的；所述交流分量至少部分是由所述幅移键控信号的强度和调制深度决定的。

为解决上述技术问题，本发明提供的幅移键控信号的解调方法包括如下步骤：

步骤一、整流电路接收幅移键控信号、对所述幅移键控信号进行整流并产生一整流电流。

步骤二、有源负载电路接收所述整流电流并提供一阻抗，当基带信号的频率满足预设条件时，所述阻抗和所述整流电流的至少一部分成反比。

步骤三、比较器对参考电压和生成电压进行比较形成解码信号并将解码信号在输出端输出，所述生成电压的值至少部分基于所述整流电流和所述阻抗。

进一步的改进是，所述参考电压的值为所述生成电压的平均值。