[发明专利]充电控制电路和方法、耗材芯片及成像系统

说明书

技术领域

本发明涉及成像装置技术，尤其涉及一种充电控制电路和方法、耗材芯片及成像系统。

背景技术

铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory，简称FRAM)是一种常用的高速非易失性存储器。成像装置可对集成有FRAM的耗材芯片在线进行高速读写，实现数据的非易失存储。但由于FRAM价格较高，生产线有限等因素，限制了FRAM在成像装置耗材等领域的推广应用。

为以较低成本实现数据的非易失性存储，现有技术在成像装置中，采用SRAM、价格较低的非易失性存储器(如电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory，简称EEPROM)或闪存(FLASH)等)以及包括电容的充电电路相互配合的技术。该现有技术为每个耗材芯片增设EEPROM或FLASH以及充电电路；当成像装置上电并对一耗材芯片的SRAM进行读写控制的同时，为各耗材芯片的充电电路的电容充电；当成像装置掉电时，由该耗材芯片对应的充电电路的电容为该耗材芯片供电，该耗材芯片将其SRAM中存储数据转存到EEPROM或FLASH中，由此实现数据的非易失存储。

成像装置与多个耗材芯片之间采用共总线方式通信。上述现有技术在通信过程中，成像装置分时对多个耗材芯片进行读写控制(即成像装置单次仅对一耗材芯片进行读写控制)，但需同时为各耗材芯片对应的充电电路的电容充电，由此增加了成像装置的电源压降和耗电量，一方面导致没有和成像装置通信的耗材芯片对应的电容已充电能的浪费，另一方面导致和成像装置通信的耗材芯片对应的电容充电电能不足，并且如果成像装置提供电流过大会导致电源压降过大，影响成像装置与其当前需进行读写控制的耗材芯片之间的正常通信。

发明内容

本发明提供一种充电控制电路和方法、耗材芯片及成像系统，用于提高成像装置充电电源的电能利用率。

本发明第一方面提供一种充电控制电路，包括：

依次连接的获取模块、比较模块、控制模块和蓄电单元；

所述蓄电单元用于为与其连接的耗材芯片提供备用电源；

所述获取模块用于获取成像装置经总线发送的控制指令；所述控制指令包括第一标识信息；所述第一标识信息与所述控制指令指向的目标耗材芯片对应；

所述比较模块用于比较所述第一标识信息与预存的第二标识信息；所述第二标识信息与所述蓄电单元连接的耗材芯片对应；

所述控制模块用于根据比较结果对所述蓄电单元进行充电控制。

本发明另一方面提供了一种耗材芯片，包括耗材芯片主体和上述充电控制电路；所述充电控制电路与所述耗材芯片主体连接。

本发明另一方面还提供了一种成像系统，包括成像装置和至少二个上述耗材芯片，各所述耗材芯片与所述成像装置基于总线通信。

本发明另一方面还提供了一种充电控制方法，包括：

获取成像装置经总线发送的控制指令；所述控制指令包括第一标识信息；所述第一标识信息与所述控制指令指向的目标耗材芯片对应；

比较所述第一标识信息与预存的第二标识信息；

根据比较结果对所述蓄电单元进行充电控制。

本发明提供的充电控制电路和方法、耗材芯片及成像系统中，充电控制电路在获取成像装置经总线发出的控制指令之后，将该控制指令包括的第一标识信息与自身所在的耗材芯片的第二标识信息，根据比较结果对蓄电单元进行充电控制，提高了充电控制的针对性，由此提高了成像装置充电电源的电能利用率。

附图说明

图1a为本发明提供的一种成像系统的结构示意图；

图1b为本发明提供的成像装置经总线发送的控制指令示例；

图2为本发明实施例一提供的充电控制电路的结构示意图；

图3为图2所示的充电控制电路的充电控制方法的流程图；

图4为本发明实施例二提供的充电控制电路的结构示意图；

图5为图4所示的充电控制电路的充电控制方法的流程图；

图6为本发明实施例三提供的充电控制电流的结构示意图；

图7为图6所示的充电控制电路的充电控制方法的流程图；

图8为图7所示充电控制方法下各耗材芯片的充电电流变化示例；

图9为本发明实施例四提供的充电控制方法的流程图；

图10为本发明实施例五提供的充电控制电流的结构示意图；

图11为图10所示的充电控制电路的充电控制方法的流程图；