[发明专利]真空隔离阀装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设备真空隔离技术领域，特别是一种真空隔离阀装置。

背景技术

半导体工艺中，重要的干法工艺都是在真空腔室的等离子环境中完成工作，如刻蚀、气象沉积等。这就导致工艺中的硅片要在多个腔室中传输，同时有要求不同的真空腔室可以彼此隔离，互不影响。因此真空隔离阀门成为半导体设备尤其是真空环境设备的重要组成部件。

尽管半导体设备领域的真空隔离阀门现在已经有一些，但是大部分都不能通用，或者占用体积比较大，或者结构复杂，不利于维修，且成本高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种密封可靠、操作简便的真空隔离阀装置。

本发明提供的一种真空隔离阀装置，包括：

设置有方孔结构的阀体、密封部件、连接过渡部件及活动阀板；

所述密封部件设置在所述阀体上端中央位置，用于半导体真空腔室之间连通时的密封；

所述连接过渡部件通过所述密封部件与所述活动阀板连接，通过外力作用控制所述活动阀板的升降。

进一步，所述密封部件采用金属波纹管。

进一步，所述活动阀板底端采用斜面结构。

进一步，所述的真空隔离阀装置，还包括：

过渡管道，所述过渡管道一端通过所述方孔与阀体连接，另一端与需要连通的半导体真空腔室连接。

进一步，所述阀体和活动阀板采用不锈钢材料。

进一步，所述的真空隔离阀装置，还包括：

密封槽，所述密封槽用于半导体真空腔室之间连通时的密封。

本发明提供的一种真空隔离阀装置，能缩小硅片传输距离或使传输距离可调整，便于装配、维修；结构简单，节约材料及生产加工成本，可实现同不同腔体连接，机构简单、成本经济、稳定性高、便于维护。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种真空隔离阀装置闭合状态结构示意图；

图2为图1所示真空隔离阀装置开启状态结构示意图；

图3图1所示结构与腔室连通的结构示意图。

具体实施方式

结合图1、图2、图3所示，本发明提供的一种真空隔离阀装置，包括设置有方孔106的阀体103、密封部件102、连接过渡部件101、活动阀板105、过度管道302及密封槽。其中，阀体103和活动阀板105采用不锈钢材料制成，阀体103宽度窄，结构简易。密封部件(102、104、107)采用金属波纹管来实现密封，设置在阀体103上端中央位置。隔离密封面201与活动阀板105底端的对应斜面204采用斜面设计，且倾斜坡度相同。活动阀板105与密封部件(102、104、107)连接，密封部件(102、104、107)通过连接过渡部件101与外部动力装置连接，活动阀板105的升降由连接过渡部件101从外部动力装置中传递的外力来控制实现。外部动力装置可以采用电机或气动压缩缸。隔离密封槽202设计在隔离密封面201的斜面上，当活动阀板105压下使对应斜面204与隔离密封面201压紧重合时实现隔离密封。同时阀体103上设计有与腔室密封的密封槽203。当真空隔离阀宽度小于两个半导体真空腔室之间要求的距离时，则通过过渡管道302来调整实现两个半导体真空腔室之间的连通。连通时，过度管道302一端通过方孔106与阀体103连接，另一端与需要连通的半导体真空腔室连接。当真空隔离阀宽度满足两个半导体真空腔室之间要求的距离时，则不需要使用过渡管道302，直接通过真空隔离阀的方孔106实现两个半导体真空腔室之间的连通。当活动阀板105提升至顶端时，两个半导体真空腔室处于连通状态，可以完成不同半导体真空腔室之间样品的传递，当活动阀板105降至底端使对应斜面204与隔离密封面201压紧重合时，两个半导体真空腔室隔离密封。

本发明提供的真空隔离阀在应用过程中，先通过动力装置提升活动阀板105。当活动阀板105提升到位时，不同的真空腔室通过阀体105上的方孔106连通，机械手或者其他取送片机构穿过方孔106来实现在不同半导体真空腔室之间样品的传输。工作完成后，再通过动力装置将活动阀板105降至底端使对应斜面204与隔离密封面201压紧重合时，两个半导体真空腔室隔离密封。有些时候为了调整不同半导体真空腔室之间的距离会设计合适的过渡管道302。如图3所示，真空隔离阀宽度小于两个半导体真空腔室之间要求的距离，为了使第一腔室301与第二腔室303之间距离合适，需要使用过渡管道302来进行调整。压片架的内环边缘采用倒锥斜面设计，以满足特殊工艺要求。送片空间完全位于压片架下方，使得送片空间大，便于送片机构的独立设计和易于实现快速高效送片。

上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。