[发明专利]一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法无效
申请号: | 201210011840.9 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN102584221A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 郝喜红;王莹;杨吉春 | 申请(专利权)人: | 内蒙古科技大学 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48;C04B35/491;C04B35/493;C04B35/624 |
代理公司: | 包头市专利事务所 15101 | 代理人: | 庄英菊 |
地址: | 014010 内蒙古*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 击穿 场强 反铁电厚膜 制备 方法 | ||
1.一种具有高击穿场强特性的锆酸铅基反铁电厚膜,其特征在于,化学组分:(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3,其中:0≤a≤0.06,0≤x≤0.45,0≤y≤0.10,成膜助剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP,按摩尔比,(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3∶聚乙烯吡咯烷酮PVP=1∶0.5~2。
2.一种具有高击穿电场特性的锆酸铅基反铁电厚膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)前驱体溶液的制备:
配制化学组分为(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3前驱体溶液,其溶质为醋酸铅、醋酸镧、醋酸锡、异丙醇钛、正丙醇锆,其中:按摩尔比,醋酸铅∶醋酸镧∶醋酸锡∶异丙醇钛∶正丙醇锆=(1-a)∶(2a/3)∶(1-x-y)∶x∶y,其中,0≤a≤0.06,0≤x≤0.45,0≤y≤0.10,溶剂为冰醋酸和水,成膜助剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP,按摩尔比,(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3∶聚乙烯吡咯烷酮PVP=1∶(0.5~2),前驱体溶液的浓度控制在0.4~0.7M/L;
2)制膜:
a)采用旋涂法将步骤1)中制得的前驱体溶液涂覆在LaNiO3或Pt底电极材料上,旋转速度为3000~5000转/分、旋转时间为10~40秒,制成湿凝胶膜;
b)将步骤a)中制得的湿凝胶膜进行热处理,湿凝胶膜在300~500℃的环境下放置5~20分钟,然后再在600~700℃的环境下放置5~20分钟,取出后冷却至室温,制得干凝胶膜;
c)在步骤b)中制得的干凝胶膜上涂覆下一层前驱体溶液,涂覆步骤与a)相同,进行热处理,热处理过程与步骤b)相同,循环往复直到获得满足所需厚度的厚膜;
d)将步骤c)中制得厚膜再进行热处理,热处理前,先在厚膜表面涂覆一层PbO,PbO的摩尔浓度为0.1~0.5M/L,在热处理温度为650~750℃条件下处理30~60分钟,获得(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3反铁电厚膜,其中,0≤a≤0.06,0≤x≤0.45,0≤y≤0.10;
e)在步骤d)中获得的(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3反铁电厚膜,采用直流溅射的方法溅射上金电极作为上电极,其直径为0.2mm或0.5mm、厚度为(100~200)nm。
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