[发明专利]一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法有效
| 申请号： | 201210011355.1 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102560684A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;葛媛;赵建江;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 重掺硼直拉 硅片 原生 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，将重掺硼直拉硅片置于1000℃-1100℃维持1-2小时，然后自然冷却。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重掺硼直拉硅片的硼掺杂浓度为7×1019-1.1×1020cm-3。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重掺硼直拉硅片为<100>或<111>晶向。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重掺硼直拉硅片于1000℃-1100℃下维持的时间为1-1.5小时。
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