[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，包括：基板，在基板上依次形成的栅极和覆盖栅极的栅绝缘层，覆盖于栅绝缘层上的包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道的有源层，将有源层和栅绝缘层表面全部覆盖的刻蚀阻挡层，在刻蚀阻挡层表面且分别设置于沟道两侧的源极、漏极；其特征在于，

所述刻蚀阻挡层为金属层；

所述薄膜晶体管还包括沟道保护层，所述沟道保护层为通过氧化处理后由所述金属层转变形成的非导电的氧化层。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化处理具体为氧等离子体氧化处理。

3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述金属层具体为金属钛、或其他通过氧等离子体氧化处理后能转变形成非导电性介质薄膜的金属。

4.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管还包括：缓冲层和/或钝化层；其中，

所述缓冲层形成于所述基板上并位于所述栅极的下方；

所述钝化层覆盖所述源极、漏极与沟道区表面。

5.根据权利要求1至4任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为含有金属铟、镓和锌中至少一种的氧化物半导体。

6.根据权利要求1至4任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层具体包括沟道刻蚀阻挡层，所述沟道刻蚀阻挡层位于所述沟道之上且与所述沟道的位置相对应；

所述沟道刻蚀阻挡层通过氧化处理后获得的非导电的氧化层作为所述沟道保护层。

7.一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：在基板上形成导电薄膜，通过构图工艺形成栅极；在基板上形成绝缘薄膜，覆盖于栅极上，作为栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体薄膜，并通过构图工艺形成有源层，有源层包括源区、漏区和沟道；

其特征在于，该方法还包括：

在有源层上连续形成两层金属薄膜，对远离沟道的上层金属薄膜通过构图工艺形成源极和漏极，并保留紧邻沟道的下层金属薄膜，所述下层金属薄膜所在的金属层作为刻蚀阻挡层；通过氧化处理后由所述金属层转变形成的非导电的氧化层作为沟道保护层。

8.根据权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述氧化处理具体为氧等离子体氧化处理。

9.根据权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述下层金属薄膜具体为金属钛、或其他通过氧等离子体氧化处理后能转变形成非导电性介质薄膜的金属；所述上层金属薄膜为单质金属或合金。

10.根据权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述氧等离子体氧化处理中的氧等离子体由O₂和BCl₂混合气体组成，比例为O₂/BCl₂＝2～3，处理时间为100～300秒。

11.根据权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述基板上形成导电薄膜，通过构图工艺形成栅极之前，在基板上形成缓冲层；

和/或，在所述通过氧化处理后由所述金属层转变形成的非导电的氧化层作为沟道保护层之后，形成钝化层。