[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210011019.7 申请日: 2012-01-16
公开(公告)号: CN102544321A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 林朝晖;王树林 申请(专利权)人: 泉州市博泰半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362000 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体发光器件,其特征在于:所述器件为三明治式夹层结构,所述夹层结构的中间部位为发光体;

在所述发光体的一侧依次包括位于所述发光体表面的透明导电导热层,和位于所述透明导电导热层表面的玻璃层;

在所述发光体的另一侧依次包括位于所述发光体表面的透明导电导热层,和位于所述透明导电导热层表面的具有透光窗口的金属层。

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于:所述透明导电导热层包括玻璃导电导热胶、石墨导电胶、碳纤维导电导热胶、或石墨烯。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于:所述玻璃层为石英玻璃层。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于:所述发光体为氮化镓基发光二极管。

5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于:所述发光体的数量为一个或,串联或并联在一起的复数个。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于:所述透明导电导热层包括至少一层。

7.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于:所述金属层为铜层。

8.一种半导体发光器件的制造方法,包括:

提供第一衬底、在所述第一衬底表面形成发光体;

在所述发光体表面沉积透明导电导热层、在所述透明导电导热层表面键合第二衬底;或,在所述发光体表面直接键合具有透明导电导热层的第二衬底;

剥离所述第一衬底;

芯片切割;

在所述发光体表面贴附其表面具有透明导电导热层的玻璃层;

局部腐蚀所述第二衬底形成透光窗口。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:所述第一衬底包括蓝宝石衬底,所述发光体包括氮化镓基发光二极管。

10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:所述第二衬底包括铜。

11.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:所述腐蚀第二衬底的方法包括湿法腐蚀。

12.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:所述方法还包括焊接引出线的步骤。

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