[发明专利]一种蒸镀用掩模板

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，尤其是涉及一种用于蒸镀工艺的掩模板。

 

背景技术

因瓦合金通常含有32%～36%的镍，因瓦合金也叫不胀钢，其平均膨胀系数一般为1.5×10^-6℃。含镍量在36%的因瓦合金，其平均膨胀系数可达到1.8 ×10^-8℃，且在室温-80℃到+100℃时均不发生变化。绝大多数的金属和合金都是在受热时体积膨胀，冷却时体积收缩，但因瓦合金由于它的铁磁性，在一定的温度范围内，具有因瓦效应的反常热膨胀，其膨胀系数极低，有时甚至为零或负值。

在半导体工艺中，特别是OLED制作工艺中，蒸镀有机材料于ITO基板上所需要用到的掩模板，往往需要具有一定的磁性和硬度，并且为了防止随着蒸镀室温度的升高，掩模板产生位置偏差，故该种掩模板应具有尽可能低的热膨胀系数。因此对于精度要求很高的蒸镀用掩模板，因瓦合金是不二选择。其他材料均会因为在蒸镀过程中受热而膨胀影响精度，从而大大影响了产品质量。

但同时因瓦合金都是采用熔炼的方法获得的，耗能高，技术要求高，因而价格也是相当高。严重限制了因瓦合金的发展前景。而且，目前传统工艺一般采用化学蚀刻的方法直接在因瓦合金上蚀刻出能满足蒸镀工艺的开口图形从而制作掩模板，但其存在一定的缺点，例如，不利于脱膜，开口精度差等。

鉴于此，实有必要设计一种制作成本更低，开口精度更高的蒸镀用掩模板。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种蒸镀用掩模板，所述蒸镀用掩模板具有满足蒸镀工艺需求的磁性和硬度，以及低的热膨胀系数，并且具有较高的开口精度和较低的成本。

根据本发明实施例的一种蒸镀用掩模板，所述掩模板上设有符合蒸镀要求的开口图形，其特征在于，所述掩模板为采用电铸工艺制作的镍铁合金掩模板，其组成元素包括铁和镍。

另外，根据本发明的蒸镀用掩模板还具有如下附加技术特征：

优选地，所述组成元素铁和镍的成分比例之和为100%。

优选地，所述组成元素铁的含量为56～62%。

优选地，所述组成元素镍的含量为35～44%。

优选地，所述镍铁合金掩模板的均匀性小于5% ，这里的均匀性是指电铸镍铁合金均匀性COV（coefficient of variation）值。

优选地，所述镍铁合金掩模板的厚度为30～70μm。

优选地，所述镍铁合金掩模板的表面光亮度为一级光亮。

在本发明的较佳实施例中，蒸镀用掩模板由于是通过电铸工艺制作，板面光亮度较好，镀层表面质量好，镀层均匀性高，且电铸所得开口图形较蚀刻因瓦合金的开口图形精度更高。并且较佳实施例中的蒸镀用掩模板是一种具有较高含铁量的电铸镍铁合金镀层，其含铁量与因瓦合金的铁含量极为接近，其性能与熔炼获得的因瓦合金也十分接近，具有满足蒸镀工艺需求的磁性和硬度，线性热膨胀系数小。而且与蚀刻因瓦合金所得的掩模板相比，本发明实施例的蒸镀用掩模板生产成本更低，工艺更为简单，可节省能源，且板面质量更好，均匀性更高。 

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

 

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为根据本发明一个实施例的镍铁合金材料制备方法的流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底了解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构。显然，本发明的施行并不限定于本领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。