[发明专利]一种掩模板的曝光处理方法

权利要求书

1.一种掩模板的曝光处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

S10：将贴好干膜的基板放入曝光机内的曝光基台上，通过真空气孔固定基板，使基板平整紧贴于曝光基台，选择低能量曝光值的曝光能量参数，进行曝光；

S11：将曝光后的基板放入烤箱，设置烘烤温度和时间，进行烘烤；

S12：烘烤结束后，进行显影工序，将未曝光的干膜显影去除。

2.如权利要求1所述的掩模板的曝光处理方法，其特征在于：所述步骤S10的曝光工序中优选扫描曝光机，通过原始文件的导入，按原始文件进行设计开口图案的曝光，直接在干膜上转移出所需开口图案。

3.如权利要求1所述的掩模板的曝光处理方法，其特征在于：所述步骤S11之前还包括：

对烤箱进行预热，使其保持一个恒温的烘烤环境。

4.如权利要求2或3所述的掩模板的曝光处理方法，其特征在于：所述低能量曝光值的确定方法为：贴干膜进行24节曝光尺实验确定最适宜曝光能量范围，在此能量范围里选择最低的能量E_min作为低能量曝光值，以该值为曝光能量参数进行曝光。

5.如权利要求4所述的掩模板的曝光处理方法，其特征在于：所述烘烤温度与时间的确定方法为：采用E_min曝光后进行烘烤实验，通过定性试验找出烘烤的温度与时间，正交找出烘烤的最佳组合；然后，通过定量试验验证开口的质量。