[发明专利]蒸镀用掩模板的制备方法

权利要求书

1.一种蒸镀用掩模板的制备方法，采用双面蚀刻工艺，包括如下几个步骤：

a) 选取厚度为5～200μm金属或合金薄板作为掩模板材料，掩模板材料的一个面为和半导体玻璃接触的ITO面，另一个面作为蒸镀面；

b) 从掩模板材料的ITO面蚀刻形成网格状开口(1)；

c) 从掩模板的蒸镀面刻蚀形成网格状开口(2)，并使网格状开口(2) 与网格状开口(1)中心重合，且网格状开口(2)中心对称；且开口孔壁具有一定凹弧度，形成了30～50°蒸镀锥角；

d) 通过对ITO面和蒸镀面蚀刻时间的分开控制，得到所需要的网格状开口(2)与网格状开口(1)的开口深度；网格状开口(1)深度为5～15μm，横向尺寸为50～70μm，网格状开口(1)的尺寸精度控制在±5μm；网格状开口(2)深度为20～35μm，横向尺寸为80～140μm；

e) 通过蚀刻，制得具有ITO面小尺寸网格状开口(1)与蒸镀面大尺寸网格状开口(2)相贯通形成葫芦状沟槽通孔的掩模板；

其中，所述掩模板形状为四边形，所述掩模板上贯通ITO面和蒸镀面的通孔形成网格状，通孔在ITO面上的开口尺寸小于在蒸镀面上的开口尺寸，ITO面和蒸镀面的通孔开口均具有倒锥角。

2.根据权利要求1所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于网格状开口(1)之间具有实桥；网格状开口(2)之间具有实桥；所述ITO面和蒸镀面上的通孔开口通过若干个实桥连接起来，通孔在掩模板上呈规则网格状分布；所述掩模板为矩形，厚度为10～150μm。

3.根据权利要求1所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于ITO面的通孔开口倒锥角的角度小于蒸镀面的通孔开口倒锥角的角度。

4.根据权利要求1所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于掩模板材料为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金、因瓦合金中的任意一种金属板。

5.根据权利要求1所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于掩模板厚度为20～100μm；将其在掩模板的厚度方向上垂直剖开，其剖面图为葫芦状。

6.根据权利要求２所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于ITO面和蒸镀面上的开口长尺寸边的方向为纵向，开口小尺寸边的方向为横向；ITO面开口横向尺寸小于蒸镀面网格开口的横向尺寸。

7.根据权利要求3所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于ITO面通孔开口横向上的尺寸精度在±5μm；ITO面的倒锥角开口的垂直深度在5～25μm。

8.根据权利要求3所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于蒸镀面大尺寸网格状开口侧壁为光滑锥壁，锥度在30～50°。

9.根据权利要求3所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于ITO面的倒锥角开口的垂直深度小于等于蒸镀面锥角开口的垂直深度。

10.根据权利要求1所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于所述掩模板使用时，ITO面与蒸镀基板ITO玻璃紧密贴紧，有机材料通过ITO面通孔开口（1）蒸镀到ITO玻璃基板上。