[发明专利]镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器，其特征在于：包括沿垂直方向依次设置的衬底(1)， 底层NiO薄膜(2)，多层镁镍氧薄膜(3)，帽层NiO薄膜(4)，所述探测器还设有第一金属电极(5)和第二金属电极(6)，第一金属电极(5)设置在底层NiO薄膜(2)上，第二金属电极(6)设置在帽层NiO薄膜(4)上。

2.根据权利要求1所述的镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器，其特征在于：所述的多层镁镍氧薄膜(3)由沿垂直方向对称分布的Mg_x1Ni_1-x1O、Mg_x2Ni_1-x2O、Mg_x3Ni_1-x3O……Mg_xmNi_1-xmO、MgO、Mg_xmNi_1-xmO……Mg_x3Ni_1-x3O 、Mg_x2Ni_1-x2O、Mg_x1Ni_1-x1O薄膜构成，其中，0＜x1＜x2＜x3＜……＜xm＜1，MgO薄膜为中间层，多层镁镍氧薄膜(3)中的其余薄膜相对于中间层沿垂直方向对称分布。

3.根据权利要求2所述的镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器，其特征在于：所述的多层镁镍氧薄膜(3)分别与底层NiO薄膜(2)和帽层NiO薄膜(4)具有晶格匹配性，并且每层镁镍氧薄膜的厚度为5nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器，其特征在于：所述的衬底(1)为硅、石英玻璃或玻璃衬底。

5.根据权利要求1所述的镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器，其特征在于：所述的第一金属电极(5)由一种或多种的金属材料组成，所述的金属材料的功函数大于底层NiO薄膜(2)的功函数，所述第一金属电极(5)和底层NiO薄膜(2)形成欧姆接触，所述第一金属电极(5)的厚度为10nm～400nm。

6.根据权利要求1所述的镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器，其特征在于：所述的第二金属电极(6)由一种或多种的金属材料组成，所述的金属材料的功函数小于帽层NiO薄膜(4)的功函数，所述的第二金属电极(6)和帽层NiO薄膜(4)形成肖特基接触，所述的第二金属电极(6)的厚度为10nm～400nm。

7.制备如权利要求1至6任一项所述的镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)清洗衬底(1)；

2)在衬底(1)上生长底层NiO薄膜(2)；

3)在上述底层NiO薄膜(2)表面生长多层镁镍氧薄膜(3)，并在底层NiO薄膜(2)表面预留生长第一金属电极(5)的面积；

4)在多层镁镍氧薄膜(3)表面生长帽层NiO薄膜(4)；

5)在底层NiO薄膜(2)上生长第一金属电极(5)，在帽层NiO薄膜(4)上生长第二金属电极(6)。

8.根据权利要求7所述的制备镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器的方法，其特征在于：所述的衬底(1)为硅、石英玻璃或玻璃衬底；所述的步骤2)至步骤5)中的生长工艺采用脉冲激光沉积法、磁控溅射法、电子束蒸发法或分子束外延法。

9.根据权利要求7所述的制备镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器的方法，其特征在于：所述的第一金属电极(5)由一种或多种的金属材料组成，所述的金属材料的功函数大于底层NiO薄膜(2)的功函数，所述第一金属电极(5)和底层NiO薄膜(2)形成欧姆接触，所述第一金属电极(5)的厚度为10nm～400nm。

10.根据权利要求7所述的制备镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器的方法，其特征在于：所述的第二金属电极(6)由一种或多种的金属材料组成，所述的金属材料的功函数小于帽层NiO薄膜(4)的功函数，所述的第二金属电极(6)和帽层NiO薄膜(4)形成肖特基接触，所述的第二金属电极(6)的厚度为10nm～400nm。