[发明专利]SONOS结构制造方法以及SONOS结构有效
| 申请号： | 201210009215.0 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102709168A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 田志;谢欣云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L29/792;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sonos 结构 制造 方法 以及 | ||
1.一种SONOS结构制造方法，其特征在于包括：
在衬底上制备隧穿氧化层；
在所述隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层，所述富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的；
在所述富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层；以及
在所述硅含量渐变的氮化硅层上制备阻挡氧化层；
其中，所述硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。
2.根据权利要求1所述的SONOS结构制造方法，其特征在于还包括：在所述阻挡氧化层上制备制备栅电极。
3.根据权利要求1或2所述的SONOS结构制造方法，其特征在于，在所述隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层的步骤中，工艺气体的条件为SiH2Cl2/NH3＝2.07。
4.根据权利要求1或2所述的SONOS结构制造方法，其特征在于，在所述富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层的步骤中，SiH2Cl2/NH3的值随着时间逐渐变小，并最终变为SiH2Cl2/NH3＝0.1。
5.根据权利要求1或2所述的SONOS结构制造方法，其特征在于，所述富硅的氮化硅层的厚度是所述硅含量渐变的氮化硅层5的厚度的1/10至1/2。
6.一种根据权利要求1至5所述的SONOS结构制造方法制成的SONOS结构，其特征在于包括：布置在衬底上的隧穿氧化层、布置在所述隧穿氧化层上的富硅的氮化硅层、布置在所述富硅的氮化硅层上的硅含量渐变的氮化硅层、布置在所述硅含量渐变的氮化硅层的阻挡氧化层、以及布置在所述阻挡氧化层上的栅电极；其中，所述富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的，并且所述硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。
7.根据权利要求6所述的SONOS结构，其特征在于，所述富硅的氮化硅层的厚度是所述硅含量渐变的氮化硅层5的厚度的1/10至1/2。
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