[发明专利]包括上电复位电路的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210008157.X 申请日: 2012-01-10
公开(公告)号: CN102594311A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 李重镐;裴贤秀;吴元熙;李钟茂 申请(专利权)人: 快捷韩国半导体有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 包括 复位 电路 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

驱动电压发生器,所述驱动电压发生器被配置成产生第一电压,所述第一电压以第一斜率上升且随后以大于所述第一斜率的第二斜率上升;和

第一上电复位POR信号发生器,所述第一上电复位POR信号发生器被配置成接收所述第一电压,且产生具有第一上升时间的第一上电复位POR信号。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括存储单元,所述存储单元被配置成存储数据,且通过接收所述第一上电复位POR信号而将存储的数据初始化。

3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一上电复位POR信号发生器包括非对称反相器,所述非对称反相器被配置成接收所述第一电压,将所述第一电压反相,且产生输出信号,所述输出信号随着所述第一电压的上升而急剧降低。

4.如权利要去1所述的半导体装置,其中,所述驱动电压发生器包括β乘法器。

5.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述驱动电压发生器还被配置成接收以第三斜率上升的供电电压,且产生所述第一电压,

其中,所述第一电压上升的第一斜率小于所述第三斜率,且所述第一电压上升的第二斜率大于所述第三斜率。

6.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括:

分压器,所述分压器连接在第一供电电源和第二供电电源之间,且配置成自所述分压器的输出端提供第二电压;

电容单元,所述电容单元连接在所述分压器的所述输出端和所述第二供电电源之间;和

第二POR信号发生器,所述第二POR信号发生器连接到所述分压器的所述输出端,且配置成接收所述第二电压并产生具有第二上升时间的第二POR信号,

其中,所述第一上升时间长于所述第二上升时间。

7.如权利要求6所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括存储单元,所述存储单元配置成存储数据,且通过接收所述第一上电复位POR信号或所述第二POR信号而将存储的数据初始化。

8.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括:

分压器,所述分压器连接在第一供电电源和第二供电电源之间,且配置成自所述分压器的输出端提供第二电压;

基准电压发生器,所述基准电压发生器配置成产生基准电压;和

比较器,所述比较器配置成将所述分压器的所述输出端的所述第二电压与所述基准电压比较,且产生具有第三上升时间的第三POR信号,

其中,所述第一上升时间小于所述第三上升时间。

9.如权利要求8所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括存储单元,所述存储单元配置成存储数据,且通过接收所述第一上电复位POR信号或所述第三POR信号而初始化存储的数据。

10.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括:

第二POR信号发生器,所述第二POR信号发生器被配置成产生具有第二上升时间的第二POR信号;和

欠压锁定UVLO模块,所述欠压锁定UVLO模块配置成产生具有第三上升时间的第三POR信号。

11.如权利要求10所述的半导体装置,其中,所述第一上升时间大于所述第二上升时间,且小于所述第三上升时间。

12.如权利要求10所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括存储单元,所述存储单元配置成存储数据,且通过接收所述第一POR信号到所述第三POR信号中的至少一个而将存储的数据初始化。

13.如权利要求10所述的半导体装置,其中,所述半导体装置还包括分压器,所述分压器连接在第一供电电源和第二供电电源之间,

其中,所述第二POR信号发生器和所述UVLO模块接收来自所述分压器的电压,且分别产生所述第二POR信号和所述第三POR信号。

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