[发明专利]移位暂存器及其方法

权利要求书

1.一种设置在玻璃基版上的移位暂存器，包含：

第一薄膜晶体管，包括：

第一端，接收启动脉冲或(N-1)级脉冲；

第二端；以及

控制端，电连接于所述第一端；

第二薄膜晶体管，包括：

第一端，接收时脉信号；

第二端，输出N级脉冲；以及

控制端，电连接于所述第一薄膜晶体管的第二端；以及

电容器，具有第一端与第二端，其中所述第一端电连接于所述第二薄膜晶体管的控制端，且所述第二端电连接于所述第二薄膜晶体管的第二端；以及

第三薄膜晶体管，包括：

第一端，电连接所述电容器的第一端于第一节点；

第二端，接收公共接地端电压；以及

控制端，接收(N+2)级脉冲。

2.如权利要求1所述的移位暂存器，还包括：

第四薄膜晶体管，包括：

第一端，接收所述启动脉冲或所述(N-1)级脉冲；

第二端，电连接于所述第一薄膜晶体管的控制端；以及

控制端，电连接于所述第一端；以及

第五薄膜晶体管，包括：

第一端，电连接所述第四薄膜晶体管的第二端于第二节点；

第二端，接收所述公共接地端电压；以及

控制端，接收所述时脉信号。

3.一种设置在玻璃基版上的移位暂存器，包含：

第一至第三晶体管，各具有第一端、第二端与控制端，且所述第一晶体管的第二端、所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的控制端电连接于一个节点，且所述第一晶体管的第一端电连接所述第一晶体管的控制端；以及

电容器，具有电连接于所述第二晶体管的控制端的第一端与电连接于所述第二晶体管的第二端的第二端，

其中所述第一晶体管的第一端接收(N-1)级脉冲，所述第二晶体管的第一端接收时脉信号，所述第三晶体管的控制端接收(N+2)级脉冲，且所述第三晶体管的第二端接收公共接地端电压。

4.一种用于设置在玻璃基版上的移位暂存器的方法，其中所述移位暂存器包括各具有第一端、第二端与控制端的第一至第三晶体管，所述第一晶体管的第二端与所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的控制端电连接于一个节点，所述第一晶体管的第一端接收(N-1)级脉冲或启动脉冲，且电连接所述第一晶体管的控制端，所述第二晶体管的第一端接收时脉信号，且所述第三晶体管的控制端接收(N+2)级脉冲，所述方法包含下列步骤：

以所述(N-1)级脉冲对所述节点进行预充电；

当所述时脉信号拉升至第一电位时，使所述节点因电容耦合效应而提升至相对高电位；

使所述第二晶体管的栅极线在讯框时间内进行一次充电至所述第一电位的动作；

当所述时脉信号由所述第一电位降至第二电位时，使所述栅极线在所述讯框时间内进行一次放电至所述第二电位的动作；以及

使用所述(N+2)级脉冲以将所述节点放电至公共接地端电压。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第二晶体管的第二端用于输出N级脉冲，且存在漏电路径，自所述第二晶体管的第一端的所述脉冲信号放电至所述第二晶体管的第一端的所述N级脉冲，并继而由所述第一晶体管放电至所述第三晶体管的所述公共接地端电压，

所述第一至第三晶体管均为薄膜晶体管，所述第一端、所述第二端与所述控制端分别为漏极、源极与栅极，所述第一电位为栅极高电位，所述第二电位为栅极低电位，所述第一与所述第三晶体管的各自的栅源极电压均大于零，

所述移位暂存器还包括各具有第一端、第二端与控制端的第四与第五晶体管，所述第四晶体管的第二端电连接于所述第一晶体管的控制端，所述第四晶体管的第一端接收启动脉冲或(N-1)级脉冲，且电连接所述第四晶体管的控制端，所述第五晶体管的第一端电连接于所述第四晶体管的第二端于第二节点，所述第五晶体管的控制端接收所述时脉信号，所述第五晶体管的第二端接收所述公共接地点电压，所述方法还包括步骤：在关断状态时期，使所述第二节点放电至所述公共接地点电压，以使所述第一晶体管的栅源极电压降至接近零，

所述第四与所述第五晶体管均为薄膜晶体管，且所述第一端、所述第二端与所述控制端分别为所述漏极、所述源极与所述栅极。