[发明专利]一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法

权利要求书

1.一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

步骤一：采用湿化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀，获得金字塔状的绒面硅片衬底；

步骤二：采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极；

步骤三：采用PECVD法即等离子体增强化学气相沉积法，通入硅烷SiH₄制备I层纳米硅薄膜，通入硅烷SiH₄和磷烷PH₃混合气体制备N层纳米硅薄膜，通入硅烷SiH₄和硼烷B₂H₅混合气体制备P层纳米硅薄膜；

步骤四：在步骤三沉积纳米硅薄膜过程中，采用椭园偏振光实时监控薄膜生长的过程；

步骤五：采用热蒸发方法或磁控溅射方法或丝网印刷技术制备纳米硅薄膜太阳能电池的透明导电膜电极和上电极即删极。

2.根据权利要求1所述的一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法，其特征在于：步骤一的具体作法是：硅片清洗后放在聚四氟乙烯容器中用HF∶去离子水＝1∶50的稀溶液腐蚀9-11秒钟的时间，然后在29-31秒的时间内用大量的去离子水冲洗HF酸，从而去除单晶硅片上的二氧化硅层；采用碱溶液化学腐蚀的方法即以NaOH作为反应物并以异丙醇作为添加剂调节腐蚀速度各向异性因子，其NaOH与异丙醇的混合溶液对单晶硅进行各向异性腐蚀，NaOH浓度3％，异丙醇的用量5％，反应温度90℃，腐蚀时间为50min；在这一条件下，制备出类金字塔的织构表面即绒面硅片衬底。

3.根据权利要求1所述的一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法，其特征在于：步骤二的具体作法是：采用热蒸发方法制备背电极时，系统本底真空抽至8.0×10^-4Pa以下，样品温度为200℃～400℃，电阻蒸发或电子束蒸发高纯铝Al金属导电膜皆能用；采用磁控溅射方法制备背电极时，系统本底真空抽至8.0×10^-4Pa以下，样品温度为200℃～400℃，溅射电流0.4-0.8A，溅射电压350-450V，工作气体Ar₂，工作气压0.5-3Pa，溅射高纯铝Al靶作金属靶，从而在样品表面上形成高纯铝Al膜为金属导电膜；再进行真空退火处理即系统本底真空抽至8.0×10^-4Pa以下，退火温度为450℃～560℃，退火时间为5min～20min，这时沉积的铝膜明显致密，膜与衬底的结合变好，有利于降低薄膜的电阻。