[发明专利]微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法

权利要求书

1.微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

步骤一：做微弧氧化，将钛种植体置于含有碱性电解液的不锈钢槽体中，采用双极脉冲电源，通过对微弧氧化电参数的控制，靠钛表面的击穿放电使钛表面形成一层的微弧氧化涂层，其中微弧氧化的脉冲电压为200～500V、频率为400～800Hz、占空比为4～20%，溶液温度为0～50℃，氧化时间为5～30min；

步骤二：将微弧氧化后的钛基体浸入头孢唑啉钠水溶液中浸泡；

步骤三：取出浸泡头孢唑啉钠后的微弧氧化钛基体，放入烘干箱中烘干，获得上载头孢唑啉钠药物膜的微弧氧化钛种植体。

2.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述碱性电解液为硅酸盐、磷酸盐或硅酸盐和磷酸盐的混合物。

3.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述钛种植体为任意形状。

4.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述微弧氧化涂层厚度为3～10微米。

5.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述头孢唑啉钠水溶液浓度为10～20g/L。

6.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述微弧氧化钛种植体浸入头孢唑啉钠水溶液中的时间为30～120min。

7.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述烘干温度为30～60℃，烘干时间为2～8h。

8.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述烘干温度为40℃，烘干时间为6h。

9.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述碱性电解液为EDTA-2Na、NaOH、Na₂SiO₃·9H₂O和Ca(CH₃COO)₂·H₂O以去离子水为溶剂配制的电解液，其浓度分别为15克/升、20克/升、14.2克/升和8.8克/升。

10.根据权利要求1所述的微弧氧化钛种植体上载头孢唑啉钠药物膜的方法，其特征在于所述碱性电解液为EDTA-2Na、NaOH、Ca(H₂PO4)₂·H₂O和Ca(CH₃COO)₂·H₂O以去离子水为溶剂配制的电解液，其浓度分别为15克/升、15克/升、6.3克/升和13.2克/升。