[发明专利]基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构的换流单元无效
申请号: | 201210001831.1 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN103151938A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 温家良;吴锐;韩健;陈中圆;蔚泉清;贾娜 | 申请(专利权)人: | 中国电力科学研究院 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H01L25/03 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 100192 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 焊接 igbt 压接型 二极管 并联 串联 结构 换流 单元 | ||
1.一种换流单元,包括:IGBT模块和电容,其特征在于:所述IGBT模块包括基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块;
所述基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块包括串联的焊接型IGBT串联及其相应的压接型二极管,一个IGBT的发射极与下一个IGBT的集电极通过低感导线相连接,压接型二极管反并联于其相应的焊接型IGBT的集电极和发射极之间;
所述IGBT模块与所述电容并联。
2.根据权利要求1所述的一种换流单元,其特征在于:所述IGBT模块包括半桥结构,所述半桥结构包括一个桥臂,桥臂包括上下两个所述基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块。
3.根据权利要求1所述的一种换流单元,其特征在于:所述IGBT模块包括H桥结构,所述H桥结构包括对称的两个桥臂,每个桥臂包括上下两个所述基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块。
4.根据权利要求1所述的换流单元,其特征在于:所述压接型二极管通过平板压接的封装形式封装进散热器里,所述焊接型IGBT的集电极与发射极固定在所述散热器两端。
5.根据权利要求4所述的换流单元,其特征在于:所述压接型二极管通过20KN-80KN的强力压接与散热器压合。
6.根据权利要求1所述的换流单元,其特征在于:所述压接型二极管为压接型碳化硅二极管。
7.根据权利要求1所述的换流单元,其特征在于:所述压接型二极管的耐压值低于IGBT耐压值。
8.一种模块化多电平结构电压源换流器,一端连接高压直流输电的直流网络侧(1),另一端连接三相交流网络侧(2),其特征在于:所述模块化多电平结构电压源换流器包括三相支路,每相支路包括串联的如权利要求2所述的换流单元。
9.一种H桥级联多电平结构电压源换流器,一端连接三相中性点,另一端连接三相交流网络侧,其特征在于:所述模块化多电平结构电压源换流器包括三相支路,每相支路包括串联的如权利要求3所述的换流单元。
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