[发明专利]一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法无效
| 申请号： | 201210001593.4 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102569031A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨继远 | 申请（专利权）人： | 杨继远 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 in 进行 外延 硅片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铟(In)进行外延片/硅片键合的方法，其特征在于：在蒸镀有反射镜层的外延片上蒸发金(Au)层，然后经过镜面抛光的硅片直接用溶液清洗甩干，在电子束蒸发台中蒸发一定厚度的金层和铟(In)层，然后两片相对铟(In)层在中间，放入键合机(bonding)中通过热压键合方法，将外延片与硅片键合在一起。
2.根据权利要求1所述的铟(In)进行外延片/硅片热压键合方法，其特征在于键合压力为400～600KG，键合温度为阶梯式：140～160℃，保持50～70秒，随后温度升至键合恒温210～230℃，恒温时间为1700～1900秒，恒温时间完成后将温度降至70～90℃，保持50～70秒。
3.根据权利要求1所述的铟(In)进行外延片/硅片热压键合方法，其特征在于键合压力为500KG，键合温度为阶梯式：150℃，保持60秒，随后温度升至键合恒温220℃，恒温时间为1800秒，恒温时间完成后将温度降至80℃，保持60秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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