[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器的制造领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，以下简称为OTFT)具有适合大面积加工、适用于柔性基板等优点，在平板显示领域显现出应用前景。因此，OTFT阵列基板的研究与开发受到广泛关注。通常在OTFT阵列基板的制作中需要多次构图工艺，以形成图案化的层结构。目前出现一种喷墨打印工艺，用以制备OTFT的源漏极。其中，喷墨打印工艺是，将制作图案所用材料熔浆(即墨滴)打印在需要制作图案的区域，以形成所需图案的工艺。由于这种工艺是一种直接图案化的方法，故可简化工艺，降低成本和提高生产效率。

在实现上述利用喷墨打印工艺形成OTFT的源漏极的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

在打印过程中，由于墨滴的表面张力等原因，难以精确控制墨滴的尺寸，这就导致利用喷墨打印工艺所形成的OTFT源漏极的形状难以精确控制，从而影响到OTFT的质量，进而会影响到OTFT液晶显示器的质量。当然，其他类型的阵列基板(指非OTFT阵列基板)，在利用打印工艺制作源漏电极时，也会出现上述问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，用以实现精确控制利用喷墨打印工艺所形成的TFT源漏极的形状的目的。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：

在所述基板上形成的像素结构；所述像素结构包括：栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极；所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极，其中，所述栅极与所述栅线电连接，所述源极与所述数据线电连接，所述漏极与所述像素电极电连接；其特征在于，所述像素结构还包括：有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述栅绝缘层上方，且在所述薄膜晶体管的位置处为“山”字形结构；

所述薄膜晶体管的源极和漏极分别位于所述“山”字形结构的两个低凹处，且所述薄膜晶体管的有源层覆盖所述薄膜晶体管的源极和漏极。

其中，所述有源层为有机半导体，或氧化物半导体，或普通硅半导体。

进一步地，所述“山”字形结构为中间低、两边高的“山”字形结构，且所述薄膜晶体管的有源层设置在所述“山”字形结构的内侧。

进一步地，所述像素结构还包括：钝化层；所述钝化层覆盖所述有源层，且所述像素电极形成在所述钝化层上；

所述漏极与所述像素电极电连接具体为，所述漏极与所述像素电极通过钝化层、有源层在同一位置处的过孔电连接。

进一步地，所述像素结构还包括：公共电极；

所述公共电极位于栅绝缘层的下方，并与所述栅极同层设置。

进一步地，所述像素电极为条状，所述公共电极为板状；或者，所述像素电极为条状，所述公共电极也为条状。

进一步地，所述有机绝缘层的材料为有机光敏材料。

另一方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

再一方面，本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在基板上制作栅金属薄膜，并通过构图工艺形成栅金属层；其中，所述栅金属层包括：栅线、薄膜晶体管的栅极；

在所述基板上形成栅绝缘层以覆盖所述栅金属层；

在形成所述栅绝缘层的基板上沉积有机材料薄膜，并利用一次构图工艺在薄膜晶体管区域将所述有机材料薄膜制成“山”字形结构，形成有机绝缘层；

利用喷墨打印工艺分别在所述“山”字形结构的两个低凹处打印墨滴，以形成薄膜晶体管的源极和漏极；

利用一次构图工艺制作薄膜晶体管的有源层；所述有源层覆盖所述薄膜晶体管的源极和漏极；

在形成所述有源层的基板上制作钝化层，并在所述薄膜晶体管的漏极上方的有源层、钝化层的同一位置处形成过孔；

在所述钝化层上沉积第二透明导电薄膜，并通过构图工艺形成像素电极；所述像素电极通过所述过孔和薄膜晶体管的漏极电连接。

进一步地，在基板上制作栅金属薄膜之前还包括：在基板上沉积第一透明导电薄膜，以便形成公共电极；

其中，形成所述栅金属层和所述公共电极的构图工艺为同一次半色调曝光构图工艺。

进一步地，所述制成“山”字形结构所采用的构图工艺为半色调曝光构图工艺。

进一步地，所述“山”字形结构具体为中间低、两边高的“山”字形结构；